| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 纳米材料科学与技术 | 第10-11页 |
| 1.1.1 纳米材料简介 | 第10页 |
| 1.1.2 纳米材料的特性 | 第10-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体简介 | 第11-13页 |
| 1.3 拓扑绝缘体Bi_2Se_3的研究进展 | 第13-18页 |
| 1.4 Cu掺Bi_2Se_3的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.5 拓扑绝缘体Bi_2Se_3的制备 | 第20-23页 |
| 1.5.1 机械剥离法 | 第20页 |
| 1.5.2 分子束外延(MBE) | 第20-21页 |
| 1.5.3 溶剂热合成 | 第21页 |
| 1.5.4 磁控溅射法 | 第21-22页 |
| 1.5.5 气相沉积法（热蒸发法） | 第22-23页 |
| 1.6 选题依据及研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验制备与表征技术 | 第24-33页 |
| 2.1 实验制备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验制备设备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 实验材料与试剂 | 第25页 |
| 2.1.3 实验原理与步骤 | 第25-26页 |
| 2.2 测试与表征技术 | 第26-33页 |
| 2.2.1 光学显微镜(Optical microscope) | 第26-27页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析(X-ray diffraction, XRD) | 第27页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM) | 第27-28页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜(Transmission electron microscope, TEM) | 第28-29页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS) | 第29页 |
| 2.2.6 拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第29-30页 |
| 2.2.7 原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM) | 第30页 |
| 2.2.8 紫外可见光光谱仪(Uv-visible spectrophotometer) | 第30-31页 |
| 2.2.9 光致发光光谱(Photoluminescence spectrum, PL) | 第31-33页 |
| 第三章 Bi_2Se_3纳米线的制备与表征 | 第33-47页 |
| 引言 | 第33页 |
| 3.1 VLS机制简介 | 第33-34页 |
| 3.2 加热温度对Bi_2Se_3纳米线生长的影响 | 第34-39页 |
| 3.2.1 实验制备方案 | 第34-35页 |
| 3.2.2 Bi_2Se_3纳米线的光学图像 | 第35-36页 |
| 3.2.3 XRD衍射分析 | 第36-37页 |
| 3.2.4 SEM测试 | 第37-39页 |
| 3.3 衬底温度对 Bi_2Se_3纳米线 Se 空位的影响 | 第39-43页 |
| 3.3.1 EDS测试 | 第39-41页 |
| 3.3.2 Raman测试与分析 | 第41-42页 |
| 3.3.3 TEM测试 | 第42-43页 |
| 3.4 Bi_2Se_3纳米线的价态与形貌分析 | 第43-44页 |
| 3.4.1 XPS测试 | 第43-44页 |
| 3.4.2 AFM测试 | 第44页 |
| 3.5 Bi_2Se_3纳米线的光学性质 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 Bi_2Se_3纳米片的制备与表征 | 第47-56页 |
| 引言 | 第47页 |
| 4.1 VS机制简介 | 第47-48页 |
| 4.2 加热温度对Bi_2Se_3纳米片生长的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.1 实验制备方案 | 第48页 |
| 4.2.2 Bi_2Se_3纳米片的光学图像 | 第48-49页 |
| 4.2.3 XRD衍射分析 | 第49页 |
| 4.2.4 SEM测试 | 第49-50页 |
| 4.3 衬底温度对Bi_2Se_3纳米结构形貌的影响 | 第50-53页 |
| 4.3.1 SEM测试 | 第50-52页 |
| 4.3.2 EDS 能谱测试 | 第52-53页 |
| 4.3.3 AFM 测试 | 第53页 |
| 4.4 Bi_2Se_3纳米片的光学吸收性质 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 非磁性元素Cu对Bi_2Se_3纳米线的掺杂研究 | 第56-67页 |
| 引言 | 第56页 |
| 5.1 实验制备方案 | 第56-58页 |
| 5.1.1 制备方法的理论依据 | 第56-57页 |
| 5.1.2 制备方法示意图 | 第57-58页 |
| 5.2 衬底温度对Cu掺Bi_2Se_3纳米线生长的影响 | 第58-60页 |
| 5.2.1 Cu掺Bi_2Se_3纳米线的光学图像 | 第58-59页 |
| 5.2.2 SEM测试 | 第59-60页 |
| 5.3 Bi_2Se_3纳米线的Cu掺杂 | 第60-65页 |
| 5.3.1 XRD分析 | 第60-61页 |
| 5.3.2 EDS能谱分析 | 第61-62页 |
| 5.3.3 Cu掺Bi_2Se_3纳米线中Cu的价态分析 | 第62-64页 |
| 5.3.4 Cu掺Bi_2Se_3纳米线的Raman测试 | 第64页 |
| 5.3.5 Cu掺Bi_2Se_3纳米线的光学性质 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
