| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 雷达吸波材料的研究意义 | 第13-14页 |
| 1.2 雷达吸波材料的作用机理 | 第14-17页 |
| 1.2.1 吸收损耗机制 | 第15-17页 |
| 1.2.2 干涉损耗机制 | 第17页 |
| 1.3 电磁波吸收剂的研究现状 | 第17-23页 |
| 1.3.1 碳吸收剂 | 第17-20页 |
| 1.3.2 铁氧体吸收剂 | 第20页 |
| 1.3.3 磁性金属微粉吸收剂 | 第20-21页 |
| 1.3.4 导电高聚物吸收剂 | 第21-22页 |
| 1.3.5 手性吸收剂 | 第22-23页 |
| 1.3.6 电磁波吸收剂的发展趋势 | 第23页 |
| 1.4 Ti_3SiC_2材料的研究现状 | 第23-30页 |
| 1.4.1 Ti_3SiC_2材料的晶体结构 | 第24-25页 |
| 1.4.2 Ti_3SiC_2材料的制备 | 第25-27页 |
| 1.4.3 Ti_3SiC_2材料的性能 | 第27-30页 |
| 1.5 论文选题背景及研究内容 | 第30-33页 |
| 1.5.1 选题背景 | 第30页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第30-33页 |
| 第2章 实验及研究方法 | 第33-43页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 实验原料 | 第33页 |
| 2.3 实验设备 | 第33-35页 |
| 2.3.1 真空手套箱 | 第33页 |
| 2.3.2 行星球磨机 | 第33-34页 |
| 2.3.3 轻型球磨机 | 第34页 |
| 2.3.4 电子天平 | 第34页 |
| 2.3.5 真空-气氛热压烧结炉 | 第34-35页 |
| 2.3.6 多用磨床 | 第35页 |
| 2.3.7 电热鼓风干燥箱 | 第35页 |
| 2.3.8 电阻炉 | 第35页 |
| 2.4 结构表征及性能测试 | 第35-43页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析（XRD） | 第35页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS） | 第35-36页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第36页 |
| 2.4.4 激光粒度分析 | 第36页 |
| 2.4.5 热重-差示扫描量热（TG-DSC）分析 | 第36页 |
| 2.4.6 体积密度及相对密度 | 第36-37页 |
| 2.4.7 抗弯强度测试 | 第37页 |
| 2.4.8 显微硬度和断裂韧性测试 | 第37-38页 |
| 2.4.9 电导率测试 | 第38-39页 |
| 2.4.10 电磁吸波性能 | 第39-43页 |
| 第3章 Ti_3SiC_2粉体的制备及电磁吸波性能研究 | 第43-67页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 Ti_3SiC_2粉体的制备过程 | 第43-44页 |
| 3.3 高温固相反应法制备Ti_3SiC_2的工艺探索 | 第44-50页 |
| 3.3.1 不同球磨方式的反应产物 | 第44-46页 |
| 3.3.2 不同原料配比的反应产物 | 第46-47页 |
| 3.3.3 不同合成温度的反应产物 | 第47-48页 |
| 3.3.4 不同工艺制备的Ti_3SiC_2的相对含量 | 第48-50页 |
| 3.4 Ti_3SiC_2粉体的微观形貌 | 第50-52页 |
| 3.4.1 不同温度制备的Ti_3SiC_2粉体的形貌 | 第50-51页 |
| 3.4.2 不同球磨时间制备的Ti_3SiC_2粉体的形貌 | 第51-52页 |
| 3.5 Ti_3SiC_2粉体的介电性能 | 第52-58页 |
| 3.5.1 不同温度制备的Ti_3SiC_2粉体的介电性能 | 第54页 |
| 3.5.2 不同含量Ti_3SiC_2粉体的介电性能 | 第54-57页 |
| 3.5.3 不同粒度Ti_3SiC_2粉体的介电性能 | 第57-58页 |
| 3.6 Ti_3SiC_2粉体的吸波性能 | 第58-60页 |
| 3.6.1 不同Ti_3SiC_2含量Ti_3SiC_2/石蜡样品的吸波性能 | 第58页 |
| 3.6.2 不同厚度Ti_3SiC_2/石蜡样品的吸波性能 | 第58-59页 |
| 3.6.3 不同Ti_3SiC_2粒度Ti_3SiC_2/石蜡样品的吸波性能 | 第59-60页 |
| 3.7 Ti_3SiC_2粉体的高温氧化性能研究 | 第60-66页 |
| 3.7.1 Ti_3SiC_2粉体在不同温度下的氧化行为 | 第60-63页 |
| 3.7.2 高温氧化后Ti_3SiC_2粉体的介电性能 | 第63-66页 |
| 3.7.3 高温氧化后Ti_3SiC_2粉体的吸波性能 | 第66页 |
| 3.8 本章小结 | 第66-67页 |
| 第4章 SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的制备及性能研究 | 第67-87页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 SiO2包覆Ti_3SiC_2粉体的制备过程 | 第67-69页 |
| 4.2.1 Ti_3SiC_2粉体的分散及预处理 | 第67-68页 |
| 4.2.2 利用硅溶胶制备SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体 | 第68页 |
| 4.2.3 TEOS水解-缩聚法制备SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体 | 第68-69页 |
| 4.3 利用硅溶胶制备的SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的性能研究 | 第69-72页 |
| 4.4 正硅酸乙酯（TEOS）水解制备SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的性能研究 | 第72-85页 |
| 4.4.1 不同温度制备的SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的形貌 | 第72-75页 |
| 4.4.2 不同浓度TEOS制备的SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的性能 | 第75-79页 |
| 4.4.3 真空热处理后SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的性能 | 第79-81页 |
| 4.4.4 加入碱金属离子（Na+）制备的SiO_2包覆Ti_3SiC_2粉体的性能 | 第81-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第5章 Ti_3SiC_2/ MAS玻璃陶瓷的制备及性能研究 | 第87-119页 |
| 5.1 引言 | 第87页 |
| 5.2 Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷材料的制备过程 | 第87-88页 |
| 5.3 Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的制备工艺探索 | 第88-89页 |
| 5.3.1 不同含量Ti_3SiC_2粉体的Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的制备 | 第88页 |
| 5.3.2 不同粒度Ti_3SiC_2粉体的Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的制备 | 第88-89页 |
| 5.4 Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的力学性能及显微结构 | 第89-100页 |
| 5.4.1 不同Ti_3SiC_2含量Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的力学性能及显微结构 | 第89-97页 |
| 5.4.2 不同粒度Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的力学性能及显微结构 | 第97-100页 |
| 5.5 Ti_3SiC_2/MAS陶瓷的介电性能 | 第100-104页 |
| 5.5.1 不同烧结温度制备的Ti_3SiC_2/MAS陶瓷的介电性能 | 第100页 |
| 5.5.2 不同Ti_3SiC_2含量Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的介电性能 | 第100-103页 |
| 5.5.3 不同Ti_3SiC_2粒度Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的介电性能 | 第103-104页 |
| 5.6 Ti_3SiC_2/MAS陶瓷的吸波性能 | 第104-106页 |
| 5.6.1 不同Ti_3SiC_2含量Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的吸波性能 | 第104-105页 |
| 5.6.2 不同Ti_3SiC_2粒度Ti_3SiC_2/MAS复合陶瓷的吸波性能 | 第105-106页 |
| 5.7 Ti_3SiC_2/ MAS陶瓷的高温介电、吸波性能 | 第106-109页 |
| 5.7.1 纯堇青石基体的高温介电性能 | 第106-107页 |
| 5.7.2 Ti_3SiC_2/MAS陶瓷高温介电性能 | 第107-109页 |
| 5.7.3 不同温度下Ti_3SiC_2/MAS陶瓷的吸波性能 | 第109页 |
| 5.8 高温氧化对Ti_3SiC_2/MAS陶瓷性能的影响研究 | 第109-117页 |
| 5.8.1 Ti_3SiC_2/MAS陶瓷高温氧化后的组成、形貌分析 | 第109-111页 |
| 5.8.2 高温氧化机理 | 第111-113页 |
| 5.8.3 Ti_3SiC_2/MAS陶瓷高温氧化后的力学性能 | 第113-115页 |
| 5.8.4 Ti_3SiC_2/MAS陶瓷高温氧化后的介电、吸波性能 | 第115-117页 |
| 5.9 本章小结 | 第117-119页 |
| 结论 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
