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银掺杂硫系化合物忆阻器类脑神经形态计算研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第11-38页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 忆阻器简介第12-24页
    1.3 生物神经系统及其工作机理概述第24-28页
    1.4 忆阻器类脑神经形态计算研究概述第28-35页
    1.5 本文的研究内容及结构安排第35-38页
2 银掺杂硫系化合物忆阻器的制备及其阻变特性第38-70页
    2.1 引言第38页
    2.2 硫系化合物忆阻器制备工艺第38-45页
    2.3 忆阻器特性测试系统第45-46页
    2.4 AG/AGGETE/TA基忆阻器研究第46-66页
    2.5 AG/AGINSBTE/TA基忆阻器研究第66-68页
    2.6 本章小结第68-70页
3 基于忆阻器的联合学习和情景记忆第70-101页
    3.1 引言第70-71页
    3.2 联合学习与情景记忆第71-76页
    3.3 基于AG/AGINSBTE/TA忆阻器联合学习研究第76-92页
    3.4 基于AG/AGINSBTE/TA忆阻器情景记忆研究第92-98页
    3.5 本章小结第98-101页
4 忆阻器模式识别网络研究第101-126页
    4.1 引言第101-102页
    4.2 人工神经网络概述第102-105页
    4.3 基于AG/AGINSBTE/TA忆阻器的模式识别网络研究第105-120页
    4.4 标准模板存储突触网络及其工作原理第120-123页
    4.5 本章小结第123-126页
5 全文总结第126-130页
    5.1 研究内容总结第126-128页
    5.2 对进一步研究的展望第128-130页
致谢第130-132页
参考文献第132-153页
附录1 博士学位论文SPICE仿真电路网表第153-157页
附录2 攻读博士学位期间发表的论文目录第157-159页
附录3 攻读博士学位期间申请的发明专利第159-160页

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