摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
主要符号对照表 | 第8-9页 |
第1章 引言 | 第9-24页 |
1.1 铁基超导体 | 第9-12页 |
1.1.1 铁基超导体的结构 | 第9-10页 |
1.1.2 铁基超导体中的电子掺杂效应 | 第10-12页 |
1.2 界面超导 | 第12-24页 |
1.2.1 半导体硫族化合物界面超导 | 第13-14页 |
1.2.2 SrTiO_3/LaAlO3界面超导 | 第14-16页 |
1.2.3 铜氧化合物界面超导 | 第16-18页 |
1.2.4 FeSe/SrTiO_3界面增强超导 | 第18-24页 |
第2章 实验仪器与工作原理 | 第24-43页 |
2.1 超高真空技术 | 第24-30页 |
2.1.1 真空中的气流分类 | 第25-26页 |
2.1.2 超高真空的获得 | 第26-29页 |
2.1.3 超高真空的测量 | 第29-30页 |
2.2 分子束外延技术 | 第30-35页 |
2.3 低温扫描隧道显微镜技术 | 第35-40页 |
2.3.1 用扫描隧道显微镜表征样品表面形貌 | 第36-37页 |
2.3.2 用扫描隧道显微镜测量局域态密度 | 第37-38页 |
2.3.3 STM针尖的制备与处理 | 第38-39页 |
2.3.4 低温扫描隧道显微镜 | 第39-40页 |
2.4 互感线圈测量超导抗磁性 | 第40-43页 |
第3章 SrTiO_3衬底上FeSe薄膜表面碱金属掺杂效应 | 第43-65页 |
3.1 研究背景与动机 | 第43-45页 |
3.2 SrTiO_3上FeSe薄膜的分子束外延生长 | 第45-46页 |
3.3 SrTiO_3上FeSe薄膜表面碱金属吸附及其超导性质 | 第46-64页 |
3.3.1 FeSe表面K原子吸附形貌图 | 第46-48页 |
3.3.2 K原子掺杂的2-4UC FeSe超导性质 | 第48-52页 |
3.3.3 K原子掺杂的1-UC FeSe超导性质 | 第52-56页 |
3.3.4 最大能隙与FeSe层厚的关系 | 第56-59页 |
3.3.5 SrTiO_3上1.5-UC K_xFe_2Se_2的超导性质 | 第59-61页 |
3.3.6 互感线圈原位测量K掺杂的2-UC FeSe超导性质 | 第61-64页 |
3.4 本章小结 | 第64-65页 |
第4章 SrTiO_3衬底上FeSe超导薄膜中的电声耦合界面增强效应 | 第65-84页 |
4.1 研究背景 | 第65-70页 |
4.2 电声耦合机制下超导转变温度上限 | 第70-73页 |
4.3 实验方法 | 第73-75页 |
4.4 1-4UC FeSe超导薄膜中的玻色子模式 | 第75-77页 |
4.5 SrTiO_3上单层FeSe_xTe_(1-x)超导薄膜中的玻色子模式 | 第77页 |
4.6 实验结果分析 | 第77-83页 |
4.7 本章小结 | 第83-84页 |
第5章 结论 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-94页 |
致谢 | 第94-96页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第96-97页 |