| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 前言 | 第16页 |
| 1.2 深亚微米器件主要可靠性问题 | 第16-17页 |
| 1.3 超薄栅氧化层TDDB研究背景和现状 | 第17页 |
| 1.4 论文主要研究内容和章节安排 | 第17-20页 |
| 第二章 超薄栅氧化层经时击穿的失效机理 | 第20-32页 |
| 2.1 经时击穿失效模型 | 第20-25页 |
| 2.1.1 E模型（热化学模型） | 第20-21页 |
| 2.1.2 1/E模型 | 第21-23页 |
| 2.1.3 幂指数模型 | 第23页 |
| 2.1.4 E1/2模型 | 第23-24页 |
| 2.1.5 四种模型对比 | 第24-25页 |
| 2.2 栅介质层隧穿电流组成 | 第25-29页 |
| 2.2.1 F-N隧穿（Flower-Nordheim Tunneling） | 第25-26页 |
| 2.2.2 直接隧穿（Direct Tunneling） | 第26-29页 |
| 2.3 寿命外推统计方法 | 第29-30页 |
| 2.3.1 器件的寿命与失效率 | 第29页 |
| 2.3.2 威布尔分布的可靠性研究 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 超薄栅氧化层TDDB仿真 | 第32-46页 |
| 3.1 MATLAB软件介绍 | 第32-33页 |
| 3.2 逾渗仿真理论 | 第33-36页 |
| 3.2.1 逾渗理论产生与发展 | 第33-34页 |
| 3.2.2 逾渗理论的特点 | 第34-35页 |
| 3.2.3 逾渗理论的可靠性研究 | 第35-36页 |
| 3.3 超薄栅氧化层的逾渗仿真 | 第36-45页 |
| 3.3.1 仿真流程 | 第36-37页 |
| 3.3.2 逾渗仿真模型建立 | 第37-41页 |
| 3.3.3 超薄栅氧化层的缺陷累积分析 | 第41-43页 |
| 3.3.4 超薄栅氧化层的寿命计算 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 65nm MOS TDDB测试结构版图设计 | 第46-56页 |
| 4.1 版图设计软件介绍 | 第46-47页 |
| 4.2 可靠性版图结构设计 | 第47-53页 |
| 4.2.1 测试方案设计 | 第47-49页 |
| 4.2.2 测试版图绘制 | 第49-53页 |
| 4.3 版图的验证 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 65nm MOS TDDB试验与寿命分析 | 第56-78页 |
| 5.1 65nm MOS的制备工艺 | 第56-57页 |
| 5.2 经时效应测试方法 | 第57-60页 |
| 5.2.1 测试的仪器与样品 | 第57-58页 |
| 5.2.2 应力加速实验测试方法 | 第58-60页 |
| 5.3 超薄栅氧化层的基本电学测试 | 第60-65页 |
| 5.3.1 转移特性测试 | 第60-62页 |
| 5.3.2 输出曲线测试 | 第62-63页 |
| 5.3.3 超薄栅氧化层的击穿电压 | 第63-65页 |
| 5.4 TDDB加速应力测试 | 第65-76页 |
| 5.4.1 温度应力测试 | 第65-70页 |
| 5.4.2 电压应力测试 | 第70-73页 |
| 5.4.3 数据处理 | 第73-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 全文总结 | 第78页 |
| 6.2 未来研究的展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
