| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-37页 |
| 1.1 选题背景 | 第10-13页 |
| 1.2 国内外对 V 形坑的研究现状 | 第13-34页 |
| 1.2.1 V 形坑的形成 | 第13-18页 |
| 1.2.2 V 形坑的形成原因 | 第18-20页 |
| 1.2.3 V 形坑附近的材料生长 | 第20-24页 |
| 1.2.4 V 形坑及其附近区域的发光 | 第24-26页 |
| 1.2.5 V 形坑中的 PN 结 | 第26-28页 |
| 1.2.6 V 形坑的生长调控及其对器件光电性能的影响 | 第28-34页 |
| 1.3 国内外对量子阱内压电场的研究现状 | 第34-36页 |
| 1.4 本文工作安排 | 第36-37页 |
| 第2章 SI 衬底 GAN 基 LED 的制备与表征 | 第37-57页 |
| 2.1 SI 衬底 GAN 基 LED 的制备 | 第37-41页 |
| 2.1.1 外延生长 | 第37-39页 |
| 2.1.2 Si 衬底 GaN 基 LED 器件制造 | 第39-41页 |
| 2.2 SI 衬底 GAN 基 LED 的表征 | 第41-57页 |
| 2.2.1 二次离子质谱仪（SIMS） | 第41-43页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第43-46页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第46-49页 |
| 2.2.4 高分辨 X 射线衍射（HRXRD） | 第49-51页 |
| 2.2.5 光致发光（PL）测试 | 第51-52页 |
| 2.2.6 变温变电流电致发光（TDEL） | 第52-57页 |
| 第3章 SI 衬底 GAN 基 LED 中 V 形坑的产生与合并机理 | 第57-68页 |
| 3.1 SI 衬底 GAN 基 LED 材料中 V 形坑的产生 | 第57-64页 |
| 3.1.1 不同低温 GaN 厚度所形成的 V 形坑 | 第57-59页 |
| 3.1.2 位错密度对 V 形坑的影响 | 第59-62页 |
| 3.1.3 In 对 V 形坑形成的影响 | 第62-63页 |
| 3.1.4 小结 | 第63-64页 |
| 3.2 SI 衬底 GAN 基 LED 中 V 形坑的合并 | 第64-67页 |
| 3.2.1 生长温度对 V 形坑合并的影响 | 第64-65页 |
| 3.2.2 生长气氛对 V 形坑合并的影响 | 第65-66页 |
| 3.2.3 生长速率对 V 形坑合并的影响 | 第66-67页 |
| 3.2.4 小结 | 第67页 |
| 3.3 结论 | 第67-68页 |
| 第4章 V 形坑侧壁量子阱的 EL 研究 | 第68-89页 |
| 4.1 V 形坑侧壁量子阱的 EL | 第68-82页 |
| 4.1.1 实验 | 第68-69页 |
| 4.1.2 V 形坑侧壁量子阱电致发光的鉴定 | 第69-82页 |
| 4.2 V 形坑侧壁的空穴注入 | 第82-86页 |
| 4.3 V 形坑中电流过大对器件老化可靠性的影响 | 第86-87页 |
| 4.4 结论 | 第87-89页 |
| 第5章 V 形坑尺寸增大以及非故意掺 MG 的 V 形坑合并层对空穴输运的影响研究 | 第89-102页 |
| 5.1 实验 | 第89-92页 |
| 5.2 V 形坑侧壁量子阱发光现象重复性验证 | 第92-95页 |
| 5.3 空穴从 V 形坑中溢出 | 第95-99页 |
| 5.4 非故意掺 MG 的 V 形坑合并层降低 V 形坑中电流比例 | 第99-100页 |
| 5.5 侧壁量子阱 EL 现象的启示 | 第100-101页 |
| 5.6 结论 | 第101-102页 |
| 第6章 不同位置垒掺 SI 对多量子阱 LED 器件光电性能的影响研究 | 第102-119页 |
| 6.1 实验 | 第102-106页 |
| 6.2 不同位置垒掺 SI 对器件发光峰位的影响 | 第106-111页 |
| 6.3 不同位置垒掺 SI 对器件 PL 的影响 | 第111-115页 |
| 6.4 不同位置垒掺 SI 对 LED 正向电压与发光效率的影响 | 第115-118页 |
| 6.5 结论 | 第118-119页 |
| 总结和展望 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-128页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第128页 |
