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SOI光波导器件的设计与传输特性分析

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 光波导技术的研究背景第15-16页
    1.2 SOI光波导器件研究现状第16-17页
    1.3 本文主要内容第17-19页
第二章 光波导基本理论第19-33页
    2.1 平板光波导基本理论第19-26页
        2.1.1 几何光学理论第19-20页
        2.1.2 平板光波导的模式第20-23页
        2.1.3 电磁场理论基础第23-26页
    2.2 三维光波导的分析方法第26-31页
        2.2.1 有效折射率法第26-28页
        2.2.2 光束传输法第28-30页
        2.2.3 边界条件第30-31页
    2.3 光学仿真软件简介第31页
    2.4 本章小结第31-33页
第三章 SOI脊形Y分支波导的设计与分析第33-51页
    3.1 SOI脊形光波导模式特性分析第33-38页
    3.2 直臂型Y分支波导的仿真与研究第38-40页
    3.3 S型Y分支波导的研究第40-48页
        3.3.1 弯曲波导的损耗机理第40-42页
        3.3.2 S形弯曲波导的优化第42-44页
        3.3.3 Arc-S型Y分支波导的设计第44-46页
        3.3.4 Sin-S与Cos-S型Y分支波导第46-48页
    3.4 Y分支波导的应用第48-50页
    3.5 本章小结第50-51页
第四章 SOI多模干涉耦合器第51-69页
    4.1 MMI光耦合器的基本原理第51-56页
        4.1.1 导模传输法第51-54页
        4.1.2 导模传输法与三维波束传输法的比较第54-56页
    4.2 普通型MMI光耦合器的模拟与分析第56-57页
    4.3 1×N对称型MMI光耦合器的设计与优化第57-64页
    4.4 配对型MMI光耦合器的模拟与分析第64-66页
    4.5 MMI光耦合器的应用第66-67页
    4.6 本章小结第67-69页
第五章 SOI光开关的设计与分析第69-79页
    5.1 硅的等离子色散效应第69-73页
        5.1.1 等离子色散基本原理第69-70页
        5.1.2 PIN结构分析第70-73页
    5.2 SOI光开关的设计第73-77页
        5.2.1 Y分支型光开关的设计与分析第73-75页
        5.2.2 2×2 型MMI光开关的设计与分析第75-76页
        5.2.3 1×4 型MMI光开关的设计与分析第76-77页
    5.3 本章小结第77-79页
第六章 总结与展望第79-81页
    6.1 总结第79-80页
    6.2 展望第80-81页
参考文献第81-85页
致谢第85-87页
作者简介第87-88页

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