| 摘要 | 第8-11页 |
| Abstract | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 几种典型的二维材料 | 第15-17页 |
| 1.2 选题来源及其意义 | 第17页 |
| 1.3 论文结构 | 第17-18页 |
| 1.4 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 理论计算方法介绍 | 第21-30页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第21-28页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第23-25页 |
| 2.1.3 交换关联泛函的求解 | 第25-27页 |
| 2.1.4 赝势方法 | 第27-28页 |
| 2.2 VASP程序包简介 | 第28页 |
| 2.3 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 硅(锗)烯-六方氮化硼异质结的界面效应 | 第30-47页 |
| 3.1 前言 | 第30-31页 |
| 3.2 计算方法 | 第31页 |
| 3.3 Silicene(Germanene)/H-BN异质结的界面及电子结构 | 第31-41页 |
| 3.3.1 Silicene/H-BN异质结 | 第31-37页 |
| 3.3.2 Germanene/H-BN异质结 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 3.5 参考文献 | 第42-47页 |
| 第四章 高(低)褶皱硅烯-二硫化钼异质结的界面效应 | 第47-70页 |
| 4.1 前言 | 第47-48页 |
| 4.2 计算方法 | 第48-52页 |
| 4.3 High-Buckled(Low-Buckled)Silicene/MoS_2异质结的界面及电子结构 | 第52-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 4.5 参考文献 | 第62-70页 |
| 第五章 二氯铋化镓单层的拓扑相 | 第70-82页 |
| 5.1 前言 | 第70-71页 |
| 5.2 计算方法 | 第71页 |
| 5.3 GaBiCl_2单层的能带结构与拓扑相 | 第71-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 5.5 参考文献 | 第79-82页 |
| 第六章 总结,创新点与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 总结 | 第82页 |
| 6.2 创新点 | 第82-83页 |
| 6.3 展望 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间参与的项目 | 第86页 |
| 攻读硕士学位期间参加的会议 | 第86页 |
| 硕士研究生期间的获奖情况 | 第86-87页 |
| 附：发表论文 | 第87-121页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第121页 |
