摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-18页 |
1.1 选题背景及历史意义 | 第12-14页 |
1.1.1 X射线管的概述 | 第12-13页 |
1.1.2 场致发射X射线管的概述 | 第13-14页 |
1.2 静态双能CT的概述 | 第14-17页 |
1.3 本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
第二章 碳纳米管概述与制备 | 第18-25页 |
2.1 碳纳米管基本性质 | 第18-19页 |
2.2 碳纳米管的生长机理 | 第19页 |
2.3 碳纳米管的几种典型制备方法 | 第19-20页 |
2.4 采用微波等离子体化学气相沉积法制备碳纳米管的工艺研究 | 第20-24页 |
2.5 碳纳米管场致发射阴极存在的问题 | 第24-25页 |
第三章 石墨烯与碳纳米管复合结构阴极阵列的制备 | 第25-42页 |
3.1 碳纳米管与石墨烯复合的模型 | 第25页 |
3.2 石墨烯的生长机理概述 | 第25-26页 |
3.3 石墨烯的制备概述 | 第26-27页 |
3.4 生长石墨烯的相关工艺 | 第27-29页 |
3.4.1 生长石墨烯的基底的选择 | 第27-28页 |
3.4.2 生长石墨烯基底的预处理 | 第28页 |
3.4.3 在镍上生长石墨烯 | 第28-29页 |
3.4.4 在铜上生长石墨烯 | 第29页 |
3.5 石墨烯的Raman光谱表征 | 第29-30页 |
3.6 基于MW-PCVD法的石墨烯生长工艺的研究 | 第30-35页 |
3.6.1 基于硅基底直接生长石墨烯 | 第30-33页 |
3.6.1.1 基于铜催化剂的在硅衬底上直接生长石墨烯 | 第30-31页 |
3.6.1.2 基于镍催化剂的在硅衬底上直接生长石墨烯 | 第31-33页 |
3.6.2 转移石墨烯基底 | 第33-35页 |
3.6.2.1 在铜箔上生长石墨烯 | 第33-34页 |
3.6.2.2 石墨烯的转移 | 第34-35页 |
3.6.2.3 改进了的石墨烯的转移工艺 | 第35页 |
3.7 石墨烯基底上生长碳纳米管 | 第35-41页 |
3.7.1 在硅衬底直接生长的石墨烯后生长碳纳米管场致发射阵列 | 第35-38页 |
3.7.2 在转移了石墨烯的硅衬底生长碳纳米管 | 第38-41页 |
3.8 实验结果分析 | 第41-42页 |
第四章 基于双能CT的碳纳米管场致发射X射线管的结构设计 | 第42-61页 |
4.1 碳纳米管场致发射X射线管的基本结构 | 第42-43页 |
4.1.1 碳纳米管场致发射X射线管结构图 | 第42页 |
4.1.2 碳纳米管场致发射X射线管核心部件 | 第42-43页 |
4.2 碳纳米管场致发射X射线管的技术指标 | 第43-44页 |
4.3 碳纳米管场致发射X射线管电子枪结构的数值模拟 | 第44-52页 |
4.3.1 碳纳米管场致发射X射线管初步设计仿真 | 第46-47页 |
4.3.2 阴极尺寸对阳极焦斑的影响 | 第47页 |
4.3.3 聚焦极厚度对阳极焦斑直径的影响 | 第47-48页 |
4.3.4 聚焦极与栅极距离对阳极焦斑直径的影响 | 第48-50页 |
4.3.5 聚焦极开口大小对焦斑尺寸的影响 | 第50-52页 |
4.4 阳极电压为 120kV时的X射线管仿真 | 第52-56页 |
4.5 阳极电压分别为 80 kV和 120 kV时的电子焦斑图对比 | 第56-59页 |
4.6 优化的电子枪结构 | 第59-61页 |
第五章 碳纳米管场致发射X射线管的制备及测试 | 第61-75页 |
5.1 碳纳米管场致发射X射线管的各部件制备 | 第61-64页 |
5.1.1 碳纳米管场致发射X射线管阴极 | 第61页 |
5.1.2 碳纳米管场致发射X射线管栅极 | 第61-62页 |
5.1.3 碳纳米管场致发射X射线管聚焦极 | 第62-63页 |
5.1.4 碳纳米管场致发射X射线管阳极 | 第63-64页 |
5.2 制备碳纳米管场致发射X射线管具体的步骤 | 第64-66页 |
5.3 碳纳米管场致发射X射线管的测试 | 第66-74页 |
5.3.1 碳纳米管/石墨烯复合场致发射X射线管电子枪I-V特性测试 | 第66-69页 |
5.3.2 碳纳米管/石墨烯复合场致发射X射线管的焦斑测试 | 第69-70页 |
5.3.3 碳纳米管/石墨烯复合场致发射X射线管的分辨率测试 | 第70-72页 |
5.3.4 碳纳米管/石墨烯复合场致发射X射线管的成像测试 | 第72-74页 |
5.4 本章总结 | 第74-75页 |
第六章 结论及展望 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-81页 |