首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--红外技术及仪器论文--红外探测、红外探测器论文

碲镉汞红外焦平面探测器芯片的优化设计及工艺验证

致谢第4-5页
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 引言第12-42页
    1.1 红外探测器第12-14页
        1.1.1 红外探测器的发展历程第12-13页
        1.1.2 红外探测器的分类第13-14页
            1.1.2.1 光热型探测器第13-14页
            1.1.2.2 光子型探测器第14页
    1.2 碲镉汞红外探测器第14-16页
    1.3 碲镉汞红外探测器数值模拟第16-19页
        1.3.1 半导体器件模拟技术第17-18页
        1.3.2 半导体器件模拟技术在碲镉汞红外探测器的应用第18-19页
    1.4 碲镉汞红外探测器表面钝化第19-40页
        1.4.1 碲镉汞红外探测器表面钝化膜的评价标准第20页
        1.4.2 碲镉汞红外探测器表面钝化膜的分析方法第20-31页
            1.4.2.1 钝化膜/碲镉汞界面特性分析方法第21-27页
            1.4.2.2 钝化膜表面特性分析方法第27-31页
        1.4.3 碲镉汞红外探测器表面钝化膜第31-40页
            1.4.3.1 本源钝化膜第32-36页
            1.4.3.2 沉积钝化膜第36-40页
    1.5 本论文的目的和内容结构第40-42页
        1.5.1 本论文的目的第40页
        1.5.2 本论文的内容结构第40-42页
第二章 新型碲镉汞红外探测器的结构设计与优化第42-59页
    2.1 碲镉汞双色探测器的仿真研究第42-50页
        2.1.1 碲镉汞双色探测器光谱串音抑制设计第42-47页
            2.1.1.1 同时模式n~+-p_1-P_2-P_3-N~+碲镉汞MW/LW双色探测器第42-43页
            2.1.1.2 光谱串音第43-44页
            2.1.1.3 光谱串音抑制设计第44-47页
        2.1.2 碲镉汞双色探测器衬底界面复合抑制设计第47-50页
            2.1.2.1 同时模式n~+-on-p碲镉汞MW/LW双色探测器第47-48页
            2.1.2.2 衬底界面复合第48页
            2.1.2.3 衬底界面复合抑制设计第48-50页
    2.2 碲镉汞陷光器件的仿真研究第50-54页
        2.2.1 碲镉汞n~+-on-p中波陷光器件第50-51页
        2.2.2 碲镉汞n~+-on-p中波陷光器件仿真研究第51-54页
    2.3 p-on-N~+硅基碲镉汞异质结长波器件的仿真研究第54-57页
        2.3.1 p-on-N~+硅基碲镉汞异质结长波器件第54-55页
        2.3.2 p-on-N~+硅基碲镉汞异质结长波器件性能研究第55-57页
    2.4 本章小结第57-59页
第三章 新型结构探测器的表面钝化特点与方法第59-73页
    3.1 碲镉汞双色探测器侧壁钝化的重要性第59-61页
    3.2 CdTe/ZnS双层钝化膜的制备方法第61-65页
        3.2.1 真空蒸发镀膜第61-62页
        3.2.2 溅射镀膜第62-63页
        3.2.3 分子束外延第63-64页
        3.2.4 金属有机物化学气相沉积第64-65页
    3.3 原子层沉积技术第65-72页
        3.3.1 原子层沉积基本原理第66-69页
            3.3.1.1 原子层沉积过程第66-68页
            3.3.1.2 原子层沉积前驱体的要求第68页
            3.3.1.3 原子层沉积惰性气体的作用第68-69页
        3.3.2 原子层沉积特征第69-71页
            3.3.2.1 自限制特征第69页
            3.3.2.2 较宽的温度窗口第69-70页
            3.3.2.3 较高的台阶覆盖率第70页
            3.3.2.4 较低的沉积温度第70-71页
            3.3.2.5 较慢的沉积速率第71页
            3.3.2.6 纳米级膜层厚度第71页
        3.3.3 原子层沉积设备及工艺参数第71-72页
            3.3.3.1 原子层沉积设备第71页
            3.3.3.2 原子层沉积工艺参数第71-72页
    3.4 本章小结第72-73页
第四章 Al_2O_3膜的ALD生长技术与钝化特性第73-93页
    4.1 实验方案与流程第73-76页
        4.1.1 工艺研究第73-74页
            4.1.1.1 Al_2O_3膜生长过程第73页
            4.1.1.2 Al_2O_3膜生长工艺研究第73-74页
        4.1.2 性能表征第74-76页
            4.1.2.1 少子寿命测试第74页
            4.1.2.2 MIS器件C-V测试第74-75页
            4.1.2.3 变面积二极管I-V测试第75-76页
    4.2 实验结果及分析第76-91页
        4.2.1 工艺研究结果第76-78页
            4.2.1.1 扫描电子显微镜形貌图第76-77页
            4.2.1.2 原子力显微镜形貌图第77-78页
        4.2.2 性能表征结果第78-91页
            4.2.2.1 少子寿命测试结果第78-79页
            4.3.2.2 MIS器件C-V测试结果第79-87页
            4.3.2.3 变面积二极管I-V测试结果第87-91页
    4.3 本章小结第91-93页
第五章 ZnS膜的ALD生长技术与钝化特性第93-109页
    5.1 实验方案与流程第93-96页
        5.1.1 工艺研究第93-94页
            5.1.1.1 ZnS膜生长过程第93页
            5.1.1.2 ZnS膜生长工艺研究第93-94页
        5.1.2 性能表征第94-96页
            5.1.2.1 MIS器件C-V测试第94-95页
            5.1.2.2 变面积二极管I-V测试第95-96页
    5.2 实验结果及分析第96-108页
        5.2.1 工艺研究结果第96-101页
            5.2.1.1 扫描电子显微镜形貌图第96-98页
            5.2.1.2 原子力显微镜形貌图第98-100页
            5.2.1.3 X射线衍射结果第100页
            5.2.1.4 X射线光电子能谱结果第100-101页
        5.2.2 性能表征结果第101-108页
            5.2.2.1 MIS器件C-V测试结果第101-105页
            5.2.2.2 变面积二极管I-V测试结果第105-108页
    5.3 本章小结第108-109页
第六章 总结与展望第109-112页
    6.1 本文总结第109-111页
    6.2 问题与展望第111-112页
参考文献第112-129页
作者简介即在学期间发表的学术论文与研究成果第129-130页

论文共130页,点击 下载论文
上一篇:大学生职业生涯规划存在的问题及对策研究
下一篇:农村未成年人思想道德教育建设的实效性研究