| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-42页 |
| 1.1 红外探测器 | 第12-14页 |
| 1.1.1 红外探测器的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.1.2 红外探测器的分类 | 第13-14页 |
| 1.1.2.1 光热型探测器 | 第13-14页 |
| 1.1.2.2 光子型探测器 | 第14页 |
| 1.2 碲镉汞红外探测器 | 第14-16页 |
| 1.3 碲镉汞红外探测器数值模拟 | 第16-19页 |
| 1.3.1 半导体器件模拟技术 | 第17-18页 |
| 1.3.2 半导体器件模拟技术在碲镉汞红外探测器的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 碲镉汞红外探测器表面钝化 | 第19-40页 |
| 1.4.1 碲镉汞红外探测器表面钝化膜的评价标准 | 第20页 |
| 1.4.2 碲镉汞红外探测器表面钝化膜的分析方法 | 第20-31页 |
| 1.4.2.1 钝化膜/碲镉汞界面特性分析方法 | 第21-27页 |
| 1.4.2.2 钝化膜表面特性分析方法 | 第27-31页 |
| 1.4.3 碲镉汞红外探测器表面钝化膜 | 第31-40页 |
| 1.4.3.1 本源钝化膜 | 第32-36页 |
| 1.4.3.2 沉积钝化膜 | 第36-40页 |
| 1.5 本论文的目的和内容结构 | 第40-42页 |
| 1.5.1 本论文的目的 | 第40页 |
| 1.5.2 本论文的内容结构 | 第40-42页 |
| 第二章 新型碲镉汞红外探测器的结构设计与优化 | 第42-59页 |
| 2.1 碲镉汞双色探测器的仿真研究 | 第42-50页 |
| 2.1.1 碲镉汞双色探测器光谱串音抑制设计 | 第42-47页 |
| 2.1.1.1 同时模式n~+-p_1-P_2-P_3-N~+碲镉汞MW/LW双色探测器 | 第42-43页 |
| 2.1.1.2 光谱串音 | 第43-44页 |
| 2.1.1.3 光谱串音抑制设计 | 第44-47页 |
| 2.1.2 碲镉汞双色探测器衬底界面复合抑制设计 | 第47-50页 |
| 2.1.2.1 同时模式n~+-on-p碲镉汞MW/LW双色探测器 | 第47-48页 |
| 2.1.2.2 衬底界面复合 | 第48页 |
| 2.1.2.3 衬底界面复合抑制设计 | 第48-50页 |
| 2.2 碲镉汞陷光器件的仿真研究 | 第50-54页 |
| 2.2.1 碲镉汞n~+-on-p中波陷光器件 | 第50-51页 |
| 2.2.2 碲镉汞n~+-on-p中波陷光器件仿真研究 | 第51-54页 |
| 2.3 p-on-N~+硅基碲镉汞异质结长波器件的仿真研究 | 第54-57页 |
| 2.3.1 p-on-N~+硅基碲镉汞异质结长波器件 | 第54-55页 |
| 2.3.2 p-on-N~+硅基碲镉汞异质结长波器件性能研究 | 第55-57页 |
| 2.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第三章 新型结构探测器的表面钝化特点与方法 | 第59-73页 |
| 3.1 碲镉汞双色探测器侧壁钝化的重要性 | 第59-61页 |
| 3.2 CdTe/ZnS双层钝化膜的制备方法 | 第61-65页 |
| 3.2.1 真空蒸发镀膜 | 第61-62页 |
| 3.2.2 溅射镀膜 | 第62-63页 |
| 3.2.3 分子束外延 | 第63-64页 |
| 3.2.4 金属有机物化学气相沉积 | 第64-65页 |
| 3.3 原子层沉积技术 | 第65-72页 |
| 3.3.1 原子层沉积基本原理 | 第66-69页 |
| 3.3.1.1 原子层沉积过程 | 第66-68页 |
| 3.3.1.2 原子层沉积前驱体的要求 | 第68页 |
| 3.3.1.3 原子层沉积惰性气体的作用 | 第68-69页 |
| 3.3.2 原子层沉积特征 | 第69-71页 |
| 3.3.2.1 自限制特征 | 第69页 |
| 3.3.2.2 较宽的温度窗口 | 第69-70页 |
| 3.3.2.3 较高的台阶覆盖率 | 第70页 |
| 3.3.2.4 较低的沉积温度 | 第70-71页 |
| 3.3.2.5 较慢的沉积速率 | 第71页 |
| 3.3.2.6 纳米级膜层厚度 | 第71页 |
| 3.3.3 原子层沉积设备及工艺参数 | 第71-72页 |
| 3.3.3.1 原子层沉积设备 | 第71页 |
| 3.3.3.2 原子层沉积工艺参数 | 第71-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 Al_2O_3膜的ALD生长技术与钝化特性 | 第73-93页 |
| 4.1 实验方案与流程 | 第73-76页 |
| 4.1.1 工艺研究 | 第73-74页 |
| 4.1.1.1 Al_2O_3膜生长过程 | 第73页 |
| 4.1.1.2 Al_2O_3膜生长工艺研究 | 第73-74页 |
| 4.1.2 性能表征 | 第74-76页 |
| 4.1.2.1 少子寿命测试 | 第74页 |
| 4.1.2.2 MIS器件C-V测试 | 第74-75页 |
| 4.1.2.3 变面积二极管I-V测试 | 第75-76页 |
| 4.2 实验结果及分析 | 第76-91页 |
| 4.2.1 工艺研究结果 | 第76-78页 |
| 4.2.1.1 扫描电子显微镜形貌图 | 第76-77页 |
| 4.2.1.2 原子力显微镜形貌图 | 第77-78页 |
| 4.2.2 性能表征结果 | 第78-91页 |
| 4.2.2.1 少子寿命测试结果 | 第78-79页 |
| 4.3.2.2 MIS器件C-V测试结果 | 第79-87页 |
| 4.3.2.3 变面积二极管I-V测试结果 | 第87-91页 |
| 4.3 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 ZnS膜的ALD生长技术与钝化特性 | 第93-109页 |
| 5.1 实验方案与流程 | 第93-96页 |
| 5.1.1 工艺研究 | 第93-94页 |
| 5.1.1.1 ZnS膜生长过程 | 第93页 |
| 5.1.1.2 ZnS膜生长工艺研究 | 第93-94页 |
| 5.1.2 性能表征 | 第94-96页 |
| 5.1.2.1 MIS器件C-V测试 | 第94-95页 |
| 5.1.2.2 变面积二极管I-V测试 | 第95-96页 |
| 5.2 实验结果及分析 | 第96-108页 |
| 5.2.1 工艺研究结果 | 第96-101页 |
| 5.2.1.1 扫描电子显微镜形貌图 | 第96-98页 |
| 5.2.1.2 原子力显微镜形貌图 | 第98-100页 |
| 5.2.1.3 X射线衍射结果 | 第100页 |
| 5.2.1.4 X射线光电子能谱结果 | 第100-101页 |
| 5.2.2 性能表征结果 | 第101-108页 |
| 5.2.2.1 MIS器件C-V测试结果 | 第101-105页 |
| 5.2.2.2 变面积二极管I-V测试结果 | 第105-108页 |
| 5.3 本章小结 | 第108-109页 |
| 第六章 总结与展望 | 第109-112页 |
| 6.1 本文总结 | 第109-111页 |
| 6.2 问题与展望 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-129页 |
| 作者简介即在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第129-130页 |
