| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-27页 |
| 1.1 磁电阻效应 | 第7-15页 |
| 1.1.1 各向异性磁电阻效应(Anisotropic Magnetoresistance,AMR) | 第8页 |
| 1.1.2 巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance,GMR) | 第8-13页 |
| 1.1.3 隧穿磁电阻(Tunnel Magnetorestance,TMR) | 第13-15页 |
| 1.2 自旋转移矩效应(Spin Transfer Torque,STT) | 第15-17页 |
| 1.3 基于磁性材料的纳米器件 | 第17-20页 |
| 1.3.1 磁性随机存储器(Magnetoresistance Random Access Memory,M-RAM) | 第17-18页 |
| 1.3.2 赛道存储器(Racetrack Memory) | 第18-19页 |
| 1.3.3 自旋纳米振荡器(Spin Transfer Nano-Oscillators,STNOs) | 第19-20页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-27页 |
| 第二章 微磁学基础 | 第27-37页 |
| 2.1 微磁学连续介质理论 | 第27-28页 |
| 2.2 铁磁性体系中的能量 | 第28-31页 |
| 2.2.1 交换能 | 第28-29页 |
| 2.2.2 磁晶各向异性能 | 第29页 |
| 2.2.3 塞曼能 | 第29-30页 |
| 2.2.4 退磁能 | 第30页 |
| 2.2.5 Dzyaloshinsky-Moriya相互作用能 | 第30-31页 |
| 2.3 静态微磁学 | 第31页 |
| 2.4 动态微磁学 | 第31-33页 |
| 2.5 数值计算方法 | 第33-36页 |
| 2.5.1 有限差分方法 | 第33-34页 |
| 2.5.2 有限元方法 | 第34页 |
| 2.5.3 OOMMF | 第34-35页 |
| 2.5.4 Mumax3 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 垂直注入电流驱动360°畴壁移动 | 第37-55页 |
| 3.1 前言 | 第37-39页 |
| 3.2 单个360°畴壁移动 | 第39-43页 |
| 3.2.1 单个360°畴壁移动微磁学模型介绍 | 第39-40页 |
| 3.2.2 单个360°畴壁移动结果分析 | 第40-43页 |
| 3.3 3600°畴壁一维模型分析 | 第43-46页 |
| 3.4 单个360°畴壁在引入钉扎的纳米带中的运动 | 第46-48页 |
| 3.5 多个畴壁的运动 | 第48-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 垂直注入电流驱动2π-vortex进动 | 第55-69页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 微磁学模型 | 第57-58页 |
| 4.3 结果和分析 | 第58-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第五章 微波辅助磁晶各向异性的隧道结磁化翻转研究 | 第69-79页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 模拟体系参数介绍 | 第70-71页 |
| 5.3 结果与分析 | 第71-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第六章 总结和展望 | 第79-81页 |
| 硕士论文工作期间学术成果 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
