| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 纳米金属材料概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 等通道转角挤压法制备纳米金属 | 第11-13页 |
| 1.1.2 大应变冷轧法制备纳米金属 | 第13页 |
| 1.2 纳米金属结构材料的力学性能 | 第13-21页 |
| 1.2.1 均质纳米金属结构材料的力学性能 | 第13-15页 |
| 1.2.2 非均质纳米金属结构材料的力学性能 | 第15-21页 |
| 1.3 非均质纳米金属结构中的包申格效应与硬化机制 | 第21-26页 |
| 1.3.1 包申格效应 | 第21-22页 |
| 1.3.2 背应力与背应力硬化 | 第22-26页 |
| 1.4 层错能对纳米金属结构材料力学性能的影响 | 第26-28页 |
| 1.5 本文研究目的、意义以及技术路线 | 第28-30页 |
| 第二章 实验方法 | 第30-42页 |
| 2.1 实验材料及其成分 | 第30-31页 |
| 2.2 纳米晶结构材料制备过程 | 第31-33页 |
| 2.2.1 等通道转角挤压（ECAP）制备纳米晶纯Cu | 第31-32页 |
| 2.2.2 大应变冷轧（CR）制备纳米晶Cu-30%Zn | 第32-33页 |
| 2.3 材料热处理方式和工艺 | 第33-34页 |
| 2.3.1 Cu热处理工艺 | 第33页 |
| 2.3.2 Cu-30%Zn热处理工艺 | 第33-34页 |
| 2.4 微观结构测试方法 | 第34-35页 |
| 2.4.1 光学显微镜（OM）观察 | 第34页 |
| 2.4.2 电子背散射衍射（EBSD）观察 | 第34-35页 |
| 2.5 力学性能测试方法 | 第35-42页 |
| 2.5.1 硬度测试 | 第35页 |
| 2.5.2 室温准静态拉伸实验 | 第35-36页 |
| 2.5.3 高应变率拉伸实验 | 第36-37页 |
| 2.5.4 低温（77K）准静态拉伸实验 | 第37-38页 |
| 2.5.5 循环加卸载拉伸试验 | 第38页 |
| 2.5.6 循环应力松弛拉伸试验 | 第38-40页 |
| 2.5.7 光学全场应变测试 | 第40-42页 |
| 第三章 非均质纳米Cu的力学性能及应变硬化 | 第42-62页 |
| 3.1 力学性能 | 第42-45页 |
| 3.1.1 准静态拉伸力学性能 | 第42-44页 |
| 3.1.2 显微硬度测试 | 第44-45页 |
| 3.2 背应力与背应力硬化 | 第45-49页 |
| 3.3 可动位错密度与林位错硬化 | 第49-54页 |
| 3.3.1 粗晶循环应力松弛拉伸试验结果 | 第50-52页 |
| 3.3.2 非均质纳米Cu循环应力松弛拉伸试验结果 | 第52-54页 |
| 3.4 光学全场应变测试结果 | 第54-59页 |
| 3.4.1 粗晶光学全场应变测试结果 | 第54-56页 |
| 3.4.2 非均质纳米Cu光学全场应变测试结果 | 第56-59页 |
| 3.5 非均质结构Cu与其他SPD工艺力学性能对比 | 第59-60页 |
| 3.6 分析讨论与本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 非均质纳米Cu-30%Zn的力学性能及应变硬化 | 第62-82页 |
| 4.1 力学性能 | 第62-66页 |
| 4.1.1 准静态拉伸力学性能 | 第62-65页 |
| 4.1.2 应变硬化响应 | 第65-66页 |
| 4.2 背应力与背应力硬化 | 第66-69页 |
| 4.3 低温拉伸应力应变响应与硬化行为 | 第69-73页 |
| 4.3.1 低温拉伸应力应变曲线 | 第69-70页 |
| 4.3.2 低温拉伸硬化行为 | 第70-73页 |
| 4.4 高应变速率下拉伸应力应变响应 | 第73-74页 |
| 4.5 微结构演化 | 第74-79页 |
| 4.5.1 粗晶组织EBSD分析 | 第74-75页 |
| 4.5.2 300 oC退火30 min组织EBSD分析 | 第75-76页 |
| 4.5.3 300 oC退火30 min组织室温拉伸前后组织演变 | 第76-78页 |
| 4.5.4 SEM断口形貌分析 | 第78-79页 |
| 4.6 非均质Cu-30%Zn与其他SPD工艺的力学性能对比 | 第79-80页 |
| 4.7 分析讨论与本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 全文总结以及展望 | 第82-84页 |
| 5.1 总结 | 第82-83页 |
| 5.2 展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
