| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 少数层黑磷的基本性质与环境不稳定性 | 第11-16页 |
| 1.1.1 少数层黑磷的结构、性质及应用 | 第11-13页 |
| 1.1.2 少数层黑磷在环境中降解 | 第13-14页 |
| 1.1.3 少数层黑磷降解机制的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.1.4 保护少数层黑磷的现有措施 | 第15-16页 |
| 1.2 拓扑绝缘体的性质与设计 | 第16-19页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体的性质 | 第16-17页 |
| 1.2.2 二维拓扑绝缘体的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2.3 二维金属-有机拓扑绝缘体 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4 参考文献 | 第20-28页 |
| 第二章 理论方法 | 第28-38页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第28-33页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第29-30页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第30-31页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| 2.1.5 交换关联泛函 | 第32-33页 |
| 2.2 迁移率的计算 | 第33-35页 |
| 2.2.1 玻尔兹曼输运理论 | 第33-34页 |
| 2.2.2 形变势理论 | 第34页 |
| 2.2.3 有效质量近似 | 第34-35页 |
| 2.3 本文所使用的软件 | 第35页 |
| 2.4 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 少数层黑磷光致降解的机理和保护方法 | 第38-55页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 模型与方法 | 第39-42页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第39-40页 |
| 3.2.2 电子性质计算中所用到的不同泛函的比较 | 第40-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-51页 |
| 3.3.1 少数层黑磷的降解机制 | 第42-45页 |
| 3.3.2 利用完全氧化物层来保护少数层黑磷 | 第45-48页 |
| 3.3.3 通过Te掺杂来保护少数层黑磷 | 第48-51页 |
| 3.4 小结 | 第51页 |
| 3.5 参考文献 | 第51-55页 |
| 第四章 分子插层:提升少数层黑磷稳定性的新策略 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 模型与方法 | 第56页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第56-64页 |
| 4.3.1 层间距对黑磷电子结构的调控 | 第56-60页 |
| 4.3.2 小分子插层的少数层黑磷 | 第60-64页 |
| 4.4 小结 | 第64页 |
| 4.5 参考文献 | 第64-67页 |
| 第五章 基于刚性有机配合物的二维拓扑绝缘体 | 第67-82页 |
| 5.1 引言 | 第67-69页 |
| 5.2 模型与方法 | 第69-70页 |
| 5.2.1 计算方法 | 第69页 |
| 5.2.2 模型结构 | 第69-70页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第70-78页 |
| 5.3.1 能带结构与拓扑特性 | 第70-72页 |
| 5.3.2 取代效应 | 第72-78页 |
| 5.4 小结 | 第78页 |
| 5.5 参考文献 | 第78-82页 |
| 第六章 基于金元素的二维金属-有机拓扑绝缘体 | 第82-91页 |
| 6.1 引言 | 第82-83页 |
| 6.2 模型与方法 | 第83-84页 |
| 6.2.1 计算方法 | 第83页 |
| 6.2.2 模型结构 | 第83-84页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第84-88页 |
| 6.3.1 kagome-Au结构 | 第84-86页 |
| 6.3.2 decorated-honeycomb-Au结构 | 第86-88页 |
| 6.4 小结 | 第88页 |
| 6.5 参考文献 | 第88-91页 |
| 第七章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 攻读博士学位期间己发表和待发表论文 | 第94-95页 |