| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2. 太阳能电池 | 第10-12页 |
| 1.2.1 太阳能电池的发展和应用 | 第10-11页 |
| 1.2.2 晶体硅太阳能电池光电转换效率提高的途径 | 第11-12页 |
| 1.3 单晶硅片制绒的研究 | 第12-15页 |
| 1.3.1 单晶硅片制绒的意义 | 第12-13页 |
| 1.3.2 单晶硅片制绒研究的现状 | 第13-15页 |
| 1.4 PbS半导体材料 | 第15-19页 |
| 1.4.1 PbS的晶体结构和应用 | 第15-16页 |
| 1.4.2 PbS的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.4.3 PbS的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的研究目的和内容 | 第19-20页 |
| 第二章 单晶硅片的碱液制绒研究 | 第20-30页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验 | 第20-22页 |
| 2.2.1 单晶硅片的减薄和清洗 | 第21-22页 |
| 2.2.2 单晶硅片的制绒 | 第22页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第22-29页 |
| 2.3.1 清洗及减薄对硅片少子寿命的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.2 不同添加剂对金字塔绒面结构形貌和反射率的影响 | 第24-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 预退火对单晶硅片制绒的影响 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验 | 第30-31页 |
| 3.2.1 单晶硅片的清洗 | 第31页 |
| 3.2.2 单晶硅片的预退火 | 第31页 |
| 3.2.3 单晶硅片的制绒 | 第31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-37页 |
| 3.3.1 预退火温度对金字塔绒面结构形貌和反射率的影响 | 第31-36页 |
| 3.3.2 预退火时间对金字塔绒面结构反射率的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-40页 |
| 第四章 化学浴沉积时间对PbS薄膜特性的影响 | 第40-46页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验 | 第40-42页 |
| 4.2.1 衬底清洗 | 第41页 |
| 4.2.2 PbS薄膜沉积 | 第41-42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-44页 |
| 4.3.1 化学浴沉积时间对PbS薄膜结构特性的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.2 化学浴沉积时间对PbS薄膜光学特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.4 小结 | 第44-46页 |
| 第五章 铜掺杂浓度对PbS薄膜特性的影响 | 第46-58页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 实验 | 第46-48页 |
| 5.2.1 衬底清洗 | 第47页 |
| 5.2.2 Cu掺杂PbS薄膜的沉积 | 第47-48页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第48-55页 |
| 5.3.1 Cu掺杂浓度对PbS薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 5.3.2 Cu掺杂浓度对PbS薄膜结构特性的影响 | 第49-51页 |
| 5.3.3 Cu掺杂浓度对PbS薄膜光学特性的影响 | 第51-53页 |
| 5.3.4 Cu掺杂浓度对PbS薄膜电学特性的影响 | 第53-55页 |
| 5.4 小结 | 第55-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-62页 |
| 参考文献 | 第62-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第74-75页 |
