摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-18页 |
第一章 绪论 | 第18-32页 |
·有机半导体材料的特点 | 第18-22页 |
·有机半导体材料的导电机制 | 第18-20页 |
·有机半导体材料的分类 | 第20-22页 |
·有机电子学 | 第22-24页 |
·有机自旋电子学 | 第24-26页 |
·有机磁场效应 | 第26-29页 |
·有机多铁 | 第29-31页 |
·本论文研究思路和内容 | 第31-32页 |
第二章 有机半导体材料半经典π-电子模型 | 第32-48页 |
·有机半导体能带理论中的物理近似 | 第32-36页 |
·波恩-奥本海默近似 | 第32-33页 |
·π-电子近似和单电子近似 | 第33-34页 |
·紧束缚近似 | 第34-36页 |
·有机共轭聚合物半经典π-电子模型 | 第36-42页 |
·周期边界条件的SSH模型 | 第36-39页 |
·固定边界条件的SSH模型 | 第39-41页 |
·自然边界条件的SSH模型 | 第41-42页 |
·包含分子间耦合的SSH模型 | 第42页 |
·有机共轭聚合物中自旋相关的相互作用 | 第42-45页 |
·电子-电子相互作用 | 第42-44页 |
·自旋-轨道耦合相互作用 | 第44-45页 |
·自旋反转效应 | 第45页 |
·自旋混合激子中各纯态的比率 | 第45-48页 |
第三章 基于经典Marcus跃迁理论的有机磁电阻模型 | 第48-60页 |
·研究背景 | 第48-49页 |
·基于Zeeman效应的有机磁电阻理论模型 | 第49-56页 |
·基于超精细相互作用的磁电阻理论模型 | 第56页 |
·基于洛仑兹相互作用的磁电阻理论模型 | 第56-58页 |
·本章小结 | 第58-60页 |
第四章 电荷注入引起有机半导体中的自发自旋极化 | 第60-72页 |
·研究背景 | 第60-62页 |
·模型和公式 | 第62-65页 |
·计算结果与讨论 | 第65-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第五章 有机多铁复合物中激子和电荷转移态的自旋极化 | 第72-86页 |
·研究背景 | 第72-73页 |
·论模型 | 第73-76页 |
·结果与讨论 | 第76-85页 |
·激子和电荷转移态的自旋极化 | 第76-80页 |
·光激发铁磁性来源探讨 | 第80-82页 |
·电荷转移态的自旋极化与ESR实验比较 | 第82-85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
第六章 总结与展望 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-104页 |
发表文章目录 | 第104-106页 |
简历 | 第106-108页 |
致谢 | 第108-110页 |
附录:英文论文 | 第110-123页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第123页 |