摘要 | 第1-12页 |
Abstract | 第12-17页 |
符号说明 | 第17-18页 |
第一章 绪论 | 第18-36页 |
·集成光学 | 第18-22页 |
·集成光学的发展 | 第18-19页 |
·集成光学材料 | 第19-22页 |
·光学晶体薄膜及其异质结构制备 | 第22-27页 |
·常见薄膜制备方法 | 第22-23页 |
·以离子注入为基础的晶体薄膜制备 | 第23-27页 |
·论文的研究内容与安排 | 第27-30页 |
·课题来源 | 第27-28页 |
·论文研究内容 | 第28-29页 |
·论文安排 | 第29-30页 |
參考文献 | 第30-36页 |
第二章 离子注入和晶片绑定技术 | 第36-50页 |
·离子注入的基本理论 | 第36-38页 |
·离子射程和注入损伤分布 | 第38-42页 |
·离子束的热效应 | 第42-43页 |
·离子注入的装置及其应用 | 第43-45页 |
·晶片键合技术 | 第45-48页 |
·晶片直接绑定技术 | 第45-46页 |
·晶片间接绑定技术 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-50页 |
第三章 实验分析及测试方法 | 第50-66页 |
·卢瑟福背散射/沟道分析技术 | 第50-57页 |
·基本原理 | 第50-55页 |
·背散射技术的实验装置及应用 | 第55-57页 |
·弹性反冲分析 | 第57-58页 |
·高分辨X射线衍射 | 第58-60页 |
·红外吸收和拉曼散射光谱 | 第60-62页 |
·光学显微镜和扫描、透射电镜 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-66页 |
第四章 H注入钽酸锂晶体的离子切割机理 | 第66-78页 |
·实验方法及测试过程 | 第66-67页 |
·实验结果 | 第67-73页 |
·气泡形成机制 | 第73-76页 |
参考文献 | 第76-78页 |
第五章 He注入钽酸锂晶体的离子切割研究 | 第78-88页 |
·实验过程及测试方法 | 第78-79页 |
·实验结果与讨论 | 第79-86页 |
参考文献 | 第86-88页 |
第六章 H和He共注钽酸锂实现单晶薄膜剥离 | 第88-98页 |
·实验过程及测试方法 | 第88-89页 |
·实验结果与讨论 | 第89-96页 |
参考文献 | 第96-98页 |
第七章 He离子注入制备KTiOPO_4单晶薄膜 | 第98-104页 |
·实验过程 | 第98-99页 |
·实验结果及分析 | 第99-103页 |
参考文献 | 第103-104页 |
第八章 H和He离子共注KTiOPO_4晶体的晶格改性研究 | 第104-114页 |
·实验过程 | 第104页 |
·实验结果及分析 | 第104-111页 |
·实验结论 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-114页 |
第九章 总结 | 第114-118页 |
·主要内容与成果 | 第114-117页 |
·H离子注入钽酸锂晶体实现薄膜剥离的机理 | 第114-115页 |
·He离子以及H,He共注实现钽酸锂薄膜剥离 | 第115-116页 |
·高能He离子注入结合湿法刻蚀制备磷酸钛钾氧单晶薄膜 | 第116页 |
·H和He共注引起的磷酸钛钾氧晶格结构变化 | 第116-117页 |
·主要创新点 | 第117-118页 |
致谢 | 第118-120页 |
攻读博士学位期间发表的论文及获得的奖励 | 第120-122页 |
附英文论文两篇 | 第122-129页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第129页 |