| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·概述 | 第10-11页 |
| ·Ⅲ族氮化物的基本结构和性质 | 第11-14页 |
| ·晶体结构 | 第11页 |
| ·常见二元氮化物材料 | 第11-12页 |
| ·光学性质 | 第12-14页 |
| ·GaN 基 LED 的结构与发光原理 | 第14-15页 |
| ·GaN基LED的发展历程与现状 | 第15-17页 |
| ·GaN基LED的发展历程 | 第15-16页 |
| ·GaN基LED的发展现状 | 第16-17页 |
| ·GaN基LED存在的主要问题 | 第17-18页 |
| ·高In组分的多量子阱生长存在的问题 | 第17页 |
| ·多量子阱区的量子斯塔克效应 | 第17-18页 |
| ·GaN的空穴掺杂问题 | 第18页 |
| ·本论文研究意义与主要工作安排 | 第18-20页 |
| 第二章 MOCVD生长系统与材料表征 | 第20-34页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·MOCVD生长系统 | 第20-26页 |
| ·MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物薄膜的机理 | 第20-22页 |
| ·MOCVD异质外延的生长模式 | 第22-23页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第23-26页 |
| ·材料表征方法 | 第26-34页 |
| ·高分辨X射线衍射（HRXRD） | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第27-28页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第28-29页 |
| ·拉曼光谱 | 第29-31页 |
| ·霍尔（Hall）效应测试仪 | 第31-34页 |
| 第三章 GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·不同形核速率的GaN外延层的样品制备 | 第35-37页 |
| ·GaN外延薄膜生长流程 | 第35-36页 |
| ·实验方案 | 第36-37页 |
| ·形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响 | 第37-43页 |
| ·GaN外延薄膜的原位监测曲线分析 | 第37-38页 |
| ·GaN形核岛的AFM分析 | 第38-39页 |
| ·GaN外延薄膜的XRD分析 | 第39-41页 |
| ·GaN外延薄膜的Hall数据分析 | 第41页 |
| ·GaN外延薄膜的PL数据分析 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 阱温对In GaN/GaN多量子阱层影响的研究 | 第44-54页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验样品的制备 | 第45-46页 |
| ·实验分析与讨论 | 第46-53页 |
| ·HRXRD分析 | 第46-48页 |
| ·AFM分析 | 第48-50页 |
| ·PL谱分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |