基于RS码的抗多位翻转SRAM设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
| ·多位错误的发生机理及错误图样分析 | 第10-12页 |
| ·多位错误的产生机理 | 第10-11页 |
| ·多位错误的图样分析 | 第11-12页 |
| ·国内外加固技术现状 | 第12-14页 |
| ·版图级和器件级加固技术 | 第12页 |
| ·电路级加固技术 | 第12-13页 |
| ·系统级加固技术 | 第13-14页 |
| ·本文的主要研究内容及结构 | 第14-16页 |
| 第2章 RS码的结构与构造方案 | 第16-34页 |
| ·ECCs的基本概念 | 第16-22页 |
| ·ECCs的基本结构和编码原理 | 第16页 |
| ·循环码的多项式描述 | 第16-17页 |
| ·循环码的矩阵描述 | 第17-19页 |
| ·常用的ECCs | 第19-22页 |
| ·RS码 | 第22-33页 |
| ·RS码的基本结构 | 第22-23页 |
| ·适用于SRAM的RS码的构造方案 | 第23-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 RS码加固SRAM | 第34-51页 |
| ·编码器设计 | 第34-37页 |
| ·RS码的生成多项式 | 第34-35页 |
| ·RS码的编码器设计 | 第35-37页 |
| ·译码器设计 | 第37-44页 |
| ·RS码的主要译码算法 | 第37-40页 |
| ·并行译码算法 | 第40-44页 |
| ·抗辐射SRAM设计 | 第44-50页 |
| ·SRAM的结构 | 第44-45页 |
| ·SRAM外围电路设计 | 第45-48页 |
| ·SRAM功能仿真图 | 第48-49页 |
| ·抗辐射SRAM的整体结构图 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 仿真结果与性能分析 | 第51-59页 |
| ·故障注入 | 第51-52页 |
| ·纠错能力分析 | 第52-53页 |
| ·纠错性价比分析 | 第53-55页 |
| ·可靠性分析 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
