摘 要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-15页 |
全文图表清单 | 第15-20页 |
全文符号一览表 | 第20-25页 |
序 言 | 第25-27页 |
1 综 述 | 第27-47页 |
·引言 | 第27页 |
·我国攀西地区钒资源及钒产品开发简况 | 第27-32页 |
·钒资源储量 | 第27-28页 |
·攀钢钒工业的发展简介 | 第28-31页 |
·攀钢现有钒产品及其研发简况 | 第31-32页 |
·VO_2薄膜研究综述 | 第32-45页 |
·VO_2薄膜制备及其电学光学性质突变研究综述 | 第33-39页 |
·VO_2薄膜主要制备方法简介及其比较 | 第39-43页 |
·VO_2薄膜的典型性质 | 第43页 |
·VO_2薄膜应用前景展望 | 第43-45页 |
·本研究的目的和意义 | 第45页 |
·本研究的目的 | 第45页 |
·本研究的意义 | 第45页 |
·本研究的创新点 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
2 工业V_2O_5溶胶-凝胶制备及其主要性能研究 | 第47-61页 |
·主要原料 | 第47页 |
·改进无机溶胶-凝胶法及其工艺 | 第47-51页 |
·改进无机溶胶-凝胶法 | 第47-48页 |
·工艺流程及工艺参数选取 | 第48-49页 |
·实验结果及分析 | 第49-51页 |
·V_2O_5熔体的水淬作用及形核驱动力 | 第51-52页 |
·V_2O_5熔体与水的相互作用 | 第51页 |
·V_2O_5微粒形核驱动力 | 第51-52页 |
·V_2O_5溶胶的流变性 | 第52-54页 |
·胶体粘度变化及与影响因素的关系 | 第52-54页 |
·溶胶向凝胶的转化控制 | 第54页 |
·溶胶的pH值及其变化 | 第54-55页 |
·溶胶中V_2O_5微粒形貌及对粘度的影响 | 第55-57页 |
·V_2O_5微粒形貌 | 第55-56页 |
·V_2O_5微粒团聚及对粘度影响的讨论 | 第56-57页 |
·V_2O_5凝胶的热稳定性 | 第57-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
3 制备VO_2薄膜的理论基础及工艺基础 | 第61-95页 |
·V_2O_5的基本物理化学性质 | 第61-64页 |
·V_2O_5的化学性质 | 第61-63页 |
·V_2O_5晶体结构 | 第63-64页 |
·VO_2的物理化学性质 | 第64-66页 |
·VO_2的主要物理化学性质~[2,5,103] | 第10364-65页 |
·VO_2晶体结构 | 第65-66页 |
·VO_2薄膜制备方案及物理化学基础 | 第66-75页 |
·VO_2薄膜制备方案及其可行性分析 | 第66-67页 |
·热力学计算及分析 | 第67-72页 |
·总的技术路线 | 第72-73页 |
·总的技术路线与攀钢现V_2O_5生产流程的衔接性分析 | 第73-75页 |
·V_2O_5薄膜制备 | 第75-89页 |
·四种涂膜方法简介 | 第76-79页 |
·涂膜作用力分析 | 第79-83页 |
·胶体粘度对涂膜的影响 | 第83页 |
·薄膜厚度的测量及计算 | 第83-85页 |
·V_2O_5薄膜制备工艺 | 第85-89页 |
·V_2O_5薄膜表征 | 第89-92页 |
·V_2O_5薄膜的SEM检测 | 第89-90页 |
·V_2O_5薄膜的XRD检测 | 第90-92页 |
·本章小结 | 第92-95页 |
4 涂膜装置、薄膜电阻-温度测量装置的改制和研制 | 第95-103页 |
·涂膜装置的改制与制做 | 第95-98页 |
·旋涂法试验装置的改制 | 第95-97页 |
·浸涂法试验装置的制做 | 第97-98页 |
·薄膜电阻测量方法和测量原理 | 第98页 |
·薄膜电阻-温度测量装置的研制 | 第98-101页 |
·加热及温度控制系统 | 第99页 |
·薄膜电阻测量系统 | 第99页 |
·降温冷却系统 | 第99-100页 |
·主要性能指标 | 第100-101页 |
·本章小结 | 第101-103页 |
5 V_O2薄膜制备实验研究 | 第103-135页 |
·引言 | 第103页 |
·由V_2O_5薄膜制备VO_2薄膜方法原理 | 第103页 |
·VO_2薄膜制备工艺及设备 | 第103-106页 |
·气体测量控制及净化装置 | 第104-105页 |
·电阻炉及温度测量控制系统 | 第105-106页 |
·N_2热分解法制备VO_2薄膜实验研究 | 第106-114页 |
·探索试验 | 第106-108页 |
·石英玻璃衬底V_2O_5薄膜N_2热分解试验 | 第108-110页 |
·普通玻璃衬底V_2O_5薄膜N_2热分解试验 | 第110-112页 |
·扩展试验 | 第112-114页 |
·小结 | 第114页 |
·H_2还原法制备VO_2薄膜实验研究 | 第114-122页 |
·石英玻璃衬底V_2O_5薄膜H_2还原试验 | 第115-117页 |
·普通玻璃衬底V_2O_5薄膜H_2还原试验 | 第117-120页 |
·扩展试验 | 第120-121页 |
·小结 | 第121-122页 |
·VO_2薄膜的表征 | 第122-133页 |
·薄膜形态及其变化 | 第122-123页 |
·XRD法测试物相成份 | 第123-129页 |
·SEM法测试微观形貌 | 第129-133页 |
·本章小结 | 第133-135页 |
6 VO_2薄膜电阻突变性能研究 | 第135-155页 |
·VO_2薄膜的电阻突变温度及突变数量级 | 第135-143页 |
·VO_2薄膜的电阻突变温度 | 第135-141页 |
·制备方法和衬底材质对VO_2薄膜电阻突变数量级的影响 | 第141-143页 |
·VO_2薄膜电阻突变温度滞后规律研究 | 第143-144页 |
·VO_2薄膜电阻突变温度滞后的概念 | 第143页 |
·VO_2薄膜电阻突变温度滞后规律 | 第143-144页 |
·VO_2薄膜电阻突变稳定性研究 | 第144-147页 |
·VO_2薄膜电阻突变稳定性的概念 | 第144页 |
·VO_2薄膜电阻突变数量级稳定性研究 | 第144-147页 |
·讨论 | 第147页 |
·VO_2薄膜的光谱学特征 | 第147-152页 |
·本章小结 | 第152-155页 |
7 杂质对VO_2薄膜电阻突变的影响研究 | 第155-183页 |
·半导体基础理论简介 | 第155-159页 |
·半导体的分类 | 第155-156页 |
·半导体中载流子浓度及电阻率 | 第156-158页 |
·纯VO_2的相变机理和导电机理 | 第158-159页 |
·杂质对VO_2薄膜电阻突变影响的实验研究 | 第159-162页 |
·原料条件 | 第159-160页 |
·纯VO_2薄膜电阻突变性能 | 第160-162页 |
·VO_2薄膜中杂质及其存在形态分析 | 第162-166页 |
·杂质种类及杂质浓度 | 第162-163页 |
·杂质元素原子结构及其在VO_2薄膜中存在形态分析 | 第163-166页 |
·杂质对VO_2薄膜电阻突变温度的影响 | 第166-172页 |
·由XRD试验计算VO_2薄膜点阵常数的变化 | 第167-169页 |
·键长的理论计算 | 第169-171页 |
·试验研究结果 | 第171-172页 |
·杂质对VO_2薄膜电阻突变数量级的影响 | 第172-182页 |
·本征VO_2晶体中的载流子浓度 | 第172-173页 |
·单一掺杂VO_2薄膜电阻突变数量级的计算 | 第173-178页 |
·多元掺杂对VO_2薄膜电阻突变数量级的影响分析 | 第178-181页 |
·讨论 | 第181-182页 |
·本章小结 | 第182-183页 |
8 薄膜耐蚀性能研究 | 第183-193页 |
·引言 | 第183页 |
·薄膜耐蚀指标的确定 | 第183页 |
·V_2O_5薄膜的耐蚀性能研究 | 第183-187页 |
·实验方法 | 第183页 |
·试验结果及分析 | 第183-187页 |
·VO2薄膜的耐蚀性能研究 | 第187-189页 |
·VO_2薄膜在自来水中的耐蚀性能 | 第187页 |
·VO_2薄膜在酸、碱溶液中的耐蚀性能 | 第187-189页 |
·热处理对薄膜耐蚀性能影响分析 | 第189-190页 |
·衬底表面特性及薄膜的附着形态 | 第189-190页 |
·热处理延长薄膜耐蚀时间分析 | 第190页 |
·本章小结 | 第190-193页 |
9 总结论及建议 | 第193-197页 |
·总结论 | 第193-196页 |
·建议 | 第196-197页 |
致 谢 | 第197-199页 |
参考文献 | 第199-207页 |
附录A 焦性没什子酸溶液配制及用量计算 | 第207-209页 |
附录B 攻读博士学位期间发表论文、编写教材及从事科研项目研究情况 | 第209-210页 |