| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·功率半导体器件的发展 | 第9-11页 |
| ·硅工艺的发展 | 第11-12页 |
| ·LDMOS 器件的现状 | 第12-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 U 形槽漂移区高压 LDMOS 器件的设计 | 第16-36页 |
| ·U 形槽漂移区 LDMOS 器件结构分析 | 第16-18页 |
| ·Trench 技术 | 第16-17页 |
| ·U 形槽漂移区高压 LDMOS 器件结构 | 第17-18页 |
| ·U 形槽漂移区高压 LDMOS 器件工艺仿真分析 | 第18-21页 |
| ·U 形槽漂移区高压 LDMOS 器件性能仿真分析 | 第21-32页 |
| ·衬底掺杂浓度的影响 | 第21-22页 |
| ·槽形状的影响 | 第22-25页 |
| ·槽深度与宽度的影响 | 第25-27页 |
| ·漂移区注入剂量的影响 | 第27-30页 |
| ·槽内填充介质的介电常数的影响 | 第30-32页 |
| ·U 形槽漂移区高压 LDMOS 器件的温度特性 | 第32-35页 |
| ·温度对器件击穿电压的影响 | 第32-33页 |
| ·温度对器件正向导通特性的影响 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 Triple RESURF 高压 LDMOS 器件的设计 | 第36-54页 |
| ·Triple RESURF 高压 LDMOS 器件结构设计 | 第36-37页 |
| ·器件性能仿真分析 | 第37-45页 |
| ·P 埋层浓度的影响 | 第37-41页 |
| ·P 埋层的位置的影响 | 第41-43页 |
| ·P 埋层厚度的影响 | 第43-44页 |
| ·P 埋层长度的影响 | 第44-45页 |
| ·器件结构的工艺仿真与工艺可行性分析 | 第45-53页 |
| ·器件结构的工艺仿真 | 第45-49页 |
| ·器件工艺可行性分析 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 覆有高介电常数膜的 LDMOS 器件的设计 | 第54-69页 |
| ·覆有高介电常数膜 LDMOS 器件设计 | 第54-57页 |
| ·高介电常数膜耐压理论 | 第54-55页 |
| ·与常规结构击穿电压比较 | 第55-57页 |
| ·器件性能影响因素的仿真分析 | 第57-65页 |
| ·漂移区长度的影响 | 第57-58页 |
| ·漂移区结深的影响 | 第58-60页 |
| ·高介电常数膜厚度和氧化层厚度的影响 | 第60-62页 |
| ·介电常数膜介电常数的影响 | 第62-63页 |
| ·场板长度的影响 | 第63-65页 |
| ·器件的工艺模拟及工艺可行性分析 | 第65-68页 |
| ·器件结构的工艺仿真 | 第65-67页 |
| ·器件工艺可行性分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
