| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·论文选题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·SiC单晶材料的特性 | 第10-13页 |
| ·SiC单晶材料的晶体结构 | 第10-13页 |
| ·SiC单晶材料的物理化学特性 | 第13页 |
| ·SiC晶片超精密研磨加工技术概述 | 第13-16页 |
| ·游离磨料研磨加工技术 | 第14-15页 |
| ·固结磨料研磨加工技术 | 第15-16页 |
| ·SiC晶片超精密加工表面层损伤检测技术研究现状 | 第16-19页 |
| ·课题来源及研究内容 | 第19-20页 |
| 2 SiC晶片超精密研磨加工表面层损伤检测技术研究 | 第20-41页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·SiC晶片表面损伤检测技术研究 | 第20-26页 |
| ·SiC晶片亚表面损伤检测技术的试验研究 | 第26-40页 |
| ·截面显微法的试验研究 | 第27-33页 |
| ·锥度抛光法的试验研究 | 第33-37页 |
| ·分步蚀刻法的试验研究 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 3 SiC晶片研磨加工表面残余应力的试验研究 | 第41-53页 |
| ·残余应力简述 | 第41-42页 |
| ·SiC晶体的显微拉曼光谱简介 | 第42-44页 |
| ·SiC单晶拉曼频移与残余应力的对应关系 | 第44-46页 |
| ·不同研磨条件下残余应力的试验研究 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 SiC晶片研磨加工损伤深度的试验研究 | 第53-62页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·研磨方式对SiC晶片损伤深度分布影响的试验研究 | 第53-56页 |
| ·试验目的与方法 | 第53-55页 |
| ·试验结果与分析 | 第55-56页 |
| ·研磨参数对SiC晶片损伤深度影响的试验研究 | 第56-60页 |
| ·试验目的与方法 | 第56-57页 |
| ·磨粒粒度与损伤深度的关系 | 第57-59页 |
| ·研磨压力与损伤深度的关系 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 5 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 个人简历在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第68页 |