| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 太赫兹领域简介 | 第9-17页 |
| ·太赫兹技术概述 | 第9页 |
| ·太赫兹技术 | 第9-12页 |
| ·太赫兹半导体器件 | 第12-13页 |
| ·共振隧穿二极管在太赫兹中的作用 | 第13-14页 |
| ·太赫兹 GaN 共振隧穿二极管目前研究状况 | 第14-15页 |
| ·本文主要成果 | 第15-17页 |
| 第二章 共振隧穿二极管及其材料特性分析 | 第17-39页 |
| ·共振隧穿器件特点及其分类 | 第18-19页 |
| ·共振隧穿器件输运理论 | 第19-24页 |
| ·共振隧穿器件两种隧穿物理模型 | 第24-27页 |
| ·维度不同条件下各种隧穿模式特征 | 第27-28页 |
| ·共振隧穿二极管的电荷积累以及负阻区本征双稳态效应 | 第28-30页 |
| ·共振隧穿器件材料 | 第30-34页 |
| ·GaAs 材料 | 第31-32页 |
| ·GaN 材料 | 第32-34页 |
| ·材料对比 | 第34-36页 |
| ·材料中的散射机制 | 第34-35页 |
| ·GaAs 与 GaN 对比 | 第35-36页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结界面缺陷和极化效应 | 第36-39页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 共振隧穿二极管直流特性研究 | 第39-55页 |
| ·atlas 中模拟 GaN 共振隧穿二极管的方法 | 第39-40页 |
| ·atlas 中模拟 AlGaN/GaN 共振隧穿二极管 | 第40-55页 |
| ·GaN 共振隧穿二极管的器件结构 | 第40-42页 |
| ·GaN 共振隧穿二极管的直流特性的仿真 | 第42-43页 |
| ·势垒变化对 GaN 共振隧穿二极管的直流特性的影响 | 第43-44页 |
| ·势阱变化对 GaN 共振隧穿二极管的直流特性的影响 | 第44-45页 |
| ·发射区掺杂对 GaN 共振隧穿二极管直流特性的影响 | 第45-48页 |
| ·势垒 Al 组分对 GaN 共振隧穿二极管的直流特性的影响 | 第48页 |
| ·Spacer 厚度对 GaN 共振隧穿二极管的直流特性的影响 | 第48-49页 |
| ·缺陷对 GaN 共振隧穿二极管的直流特性的影响 | 第49-52页 |
| ·AlGaN/GaN RTD 和 AlGaAs/GaAs RTD 直流特性比较 | 第52-55页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 共振隧穿二极管交流输出特性研究 | 第55-71页 |
| ·共振隧穿二极管直流模型 | 第55-58页 |
| ·共振隧穿二极管交流等效电路模型 | 第58-62页 |
| ·AlGaN/GaN 共振隧穿二极管参数测量 | 第62-64页 |
| ·AlGaN/GaN 共振隧穿二极管构成的负阻振荡器相关特性 | 第64-69页 |
| ·AlGaN/GaN 共振隧穿二极管器件 S 参数的提取 | 第69页 |
| ·AlGaN/GaN 共振隧穿二极管制造和测量 | 第69-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考资料 | 第75-79页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第79-80页 |
