CMOS高频环形振荡器相位噪声的抑制技术
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·课题意义 | 第7-8页 |
| ·本文的主要工作 | 第8页 |
| ·本文的结构 | 第8-11页 |
| 第二章 高频CMOS环形振荡器 | 第11-19页 |
| ·环形振荡器原理 | 第11-17页 |
| ·环形振荡器基本结构 | 第11-12页 |
| ·环形振荡器的起振和稳幅 | 第12-17页 |
| ·环形振荡器的频率和功耗 | 第17-18页 |
| ·环形振荡器的频率 | 第17-18页 |
| ·环形振荡器的功耗 | 第18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| 第三章 振荡器的相位噪声 | 第19-33页 |
| ·MOSFET的基本噪声 | 第19-24页 |
| ·MOS管的热噪声 | 第19-22页 |
| ·MOS管沟道电荷的栅感应噪声 | 第22-23页 |
| ·MOS管的闪烁噪声和散粒噪声 | 第23-24页 |
| ·MOSFET环形振荡器的相位噪声 | 第24-29页 |
| ·相位噪声的原理 | 第24-27页 |
| ·相位噪声在通讯中的影响 | 第27-29页 |
| ·环形振荡器中相位噪声抑制措施 | 第29-31页 |
| ·增大Q值和信号功率 | 第29-30页 |
| ·减小反相单元的延时 | 第30页 |
| ·增加同步锁定电路 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 低相位噪声环形振荡器的电路设计 | 第33-51页 |
| ·基准电压源设计 | 第34-39页 |
| ·相干信号源电路设计 | 第39-41页 |
| ·环振的三级反相单元设计 | 第41-47页 |
| ·基本差分结构的三级环振 | 第41-42页 |
| ·Maneatis结构的反相单元 | 第42-44页 |
| ·“负”延时4输入双延时单元的结构 | 第44-47页 |
| ·输出比较器设计 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第五章 电路仿真结果 | 第51-61页 |
| ·时钟输出波形相位噪声仿真结果 | 第51-53页 |
| ·相位噪声的仿真实验结果 | 第53-58页 |
| ·功耗仿真结果 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·研究成果总结 | 第61页 |
| ·对未来工作的展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
