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微波等离子体法化学气相合成立方氮化硼薄膜的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-23页
   ·引言第9页
   ·立方氮化硼的研究现状第9-11页
     ·国外研究现状第9-10页
     ·国内研究现状第10-11页
   ·cBN的性质第11-12页
   ·cBN的应用前景第12-15页
     ·cBN机械方面的应用前景第13-14页
     ·cBN光学与微电子学方面的应用前景第14-15页
   ·cBN薄膜的制备方法第15-18页
     ·PVD方法制备cBN薄膜第15-17页
     ·CVD方法制备cBN薄膜第17-18页
     ·两种生长方法的比较第18页
   ·cBN薄膜制备中存在的主要问题第18-21页
     ·结晶度问题第19页
     ·结合性问题第19-20页
     ·重复性问题第20页
     ·生长机理问题第20-21页
     ·化学配比问题第21页
   ·本论文的研究意义和内容第21-23页
第2章 cBN薄膜的结构特征第23-32页
   ·BN的四种异构体第23-28页
     ·六角氮化硼的结构和性质第24-25页
     ·菱形氮化硼的结构和性质第25-26页
     ·纤锌矿氮化硼的结构和性质第26页
     ·cBN的结构和性质第26-28页
   ·cBN薄膜的结构第28-31页
     ·非晶BN层第28-29页
     ·六角BN层第29-30页
     ·cBN层第30页
     ·近表面层第30-31页
   ·本章小结第31-32页
第3章 cBN薄膜制备与表征第32-44页
   ·MPCVD沉积系统第32-36页
     ·MPCVD系统的特点第32页
     ·MPCVD系统的组成第32-36页
   ·等离子体介绍第36页
   ·微波等离子体原理和性质第36-38页
   ·辉光放电原理第38-39页
   ·cBN薄膜的表征方法第39-43页
     ·傅立叶变换红外谱第39-40页
     ·电子衍射和X射线衍射第40-41页
     ·扫描电子显微镜第41页
     ·激光拉曼光谱第41-43页
   ·本章小结第43-44页
第4章 实验结果与分析第44-61页
   ·实验过程第44-46页
     ·衬底的选择第44页
     ·衬底预处理第44-45页
     ·样品制备第45-46页
   ·主要的沉积参数对cBN薄膜生长的影响第46-59页
     ·BF_3流量变化对薄膜生长的影响第47-50页
     ·H_2流量变化对薄膜生长的影响第50-52页
     ·偏压变化对薄膜生长的影响第52-54页
     ·压强变化对薄膜生长的影响第54-56页
     ·功率变化对薄膜生长的影响第56-59页
   ·本章小结第59-61页
结论第61-63页
参考文献第63-69页
致谢第69页

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