微波等离子体法化学气相合成立方氮化硼薄膜的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-23页 |
·引言 | 第9页 |
·立方氮化硼的研究现状 | 第9-11页 |
·国外研究现状 | 第9-10页 |
·国内研究现状 | 第10-11页 |
·cBN的性质 | 第11-12页 |
·cBN的应用前景 | 第12-15页 |
·cBN机械方面的应用前景 | 第13-14页 |
·cBN光学与微电子学方面的应用前景 | 第14-15页 |
·cBN薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
·PVD方法制备cBN薄膜 | 第15-17页 |
·CVD方法制备cBN薄膜 | 第17-18页 |
·两种生长方法的比较 | 第18页 |
·cBN薄膜制备中存在的主要问题 | 第18-21页 |
·结晶度问题 | 第19页 |
·结合性问题 | 第19-20页 |
·重复性问题 | 第20页 |
·生长机理问题 | 第20-21页 |
·化学配比问题 | 第21页 |
·本论文的研究意义和内容 | 第21-23页 |
第2章 cBN薄膜的结构特征 | 第23-32页 |
·BN的四种异构体 | 第23-28页 |
·六角氮化硼的结构和性质 | 第24-25页 |
·菱形氮化硼的结构和性质 | 第25-26页 |
·纤锌矿氮化硼的结构和性质 | 第26页 |
·cBN的结构和性质 | 第26-28页 |
·cBN薄膜的结构 | 第28-31页 |
·非晶BN层 | 第28-29页 |
·六角BN层 | 第29-30页 |
·cBN层 | 第30页 |
·近表面层 | 第30-31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
第3章 cBN薄膜制备与表征 | 第32-44页 |
·MPCVD沉积系统 | 第32-36页 |
·MPCVD系统的特点 | 第32页 |
·MPCVD系统的组成 | 第32-36页 |
·等离子体介绍 | 第36页 |
·微波等离子体原理和性质 | 第36-38页 |
·辉光放电原理 | 第38-39页 |
·cBN薄膜的表征方法 | 第39-43页 |
·傅立叶变换红外谱 | 第39-40页 |
·电子衍射和X射线衍射 | 第40-41页 |
·扫描电子显微镜 | 第41页 |
·激光拉曼光谱 | 第41-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
第4章 实验结果与分析 | 第44-61页 |
·实验过程 | 第44-46页 |
·衬底的选择 | 第44页 |
·衬底预处理 | 第44-45页 |
·样品制备 | 第45-46页 |
·主要的沉积参数对cBN薄膜生长的影响 | 第46-59页 |
·BF_3流量变化对薄膜生长的影响 | 第47-50页 |
·H_2流量变化对薄膜生长的影响 | 第50-52页 |
·偏压变化对薄膜生长的影响 | 第52-54页 |
·压强变化对薄膜生长的影响 | 第54-56页 |
·功率变化对薄膜生长的影响 | 第56-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
结论 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
致谢 | 第69页 |