| 中文摘要 | 第1-14页 |
| Abstract | 第14-18页 |
| 符号表 | 第18-19页 |
| 第一章 概述 | 第19-39页 |
| §1.1 GaN材料的特性和制备 | 第19-24页 |
| §1.1.1 GaN的材料特性 | 第19-22页 |
| §1.1.2 GaN的材料的制备 | 第22-24页 |
| §1.2 GaN基材料在电子器件方面应用的发展 | 第24-27页 |
| §1.3 GaN基材料在光电子器件方面应用的发展 | 第27-29页 |
| §1.4 多孔GaN材料的发展和应用 | 第29-32页 |
| §1.5 本论文的主要内容及其展望 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-39页 |
| 第二章 硅掺杂的n-type GaN选择性横向刻蚀技术和应用 | 第39-59页 |
| §2.1 前言 | 第39-40页 |
| §2.2 实验 | 第40-41页 |
| §2.3 n-type GaN电化学选择性刻蚀的形貌 | 第41-44页 |
| §2.4 n-type GaN电化学选择性刻蚀的刻蚀速率、相图和机理分析 | 第44-48页 |
| §2.4.1 n-type GaN电化学选择性刻蚀的刻蚀速率 | 第44-46页 |
| §2.4.2 n-type GaN电化学选择性刻蚀的相图 | 第46页 |
| §2.4.3 n-type GaN电化学选择性刻蚀的机理分析 | 第46-48页 |
| §2.5 n-type GaN电化学选择性刻蚀的应用 | 第48-56页 |
| §2.5. 1 n-type GaN电化学选择性刻蚀在GaN剥离方面的应用 | 第48-50页 |
| §2.5.2 n-type GaN电化学选择性刻蚀在光学方面的应用 | 第50-53页 |
| §2.5.3 n-type GaN电化学选择性刻蚀在微电机械系统(MEMS)方面的应用 | 第53-56页 |
| §2.6 小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 电化学法制备大面积、自支撑多孔GaN薄膜 | 第59-83页 |
| §3.1 前言 | 第59-60页 |
| §3.2 实验 | 第60-61页 |
| §3.3 电化学法制备多孔GaN薄膜 | 第61-69页 |
| §3.3.1 外加偏压对电化学法制备多孔GaN的影响 | 第61-63页 |
| §3.3.2 n-GaN的硅掺杂浓度对电化学法制备多孔GaN的影响 | 第63-66页 |
| §3.3.3 电化学法制备的多孔GaN的均匀性 | 第66-67页 |
| §3.3.4 电化学法制备多孔GaN的机制 | 第67-69页 |
| §3.4 电化学法制备大面积、自支撑的多孔GaN薄膜及其表征 | 第69-77页 |
| §3.4.1 大面积、自支撑多孔GaN的制备 | 第69-72页 |
| §3.4.2 大面积、自支撑多孔GaN的表征 | 第72-77页 |
| §3.4.2.1 大面积、自支撑多孔GaN的结构特性 | 第72-75页 |
| §3.4.2.2 大面积、自支撑多孔GaN的光学特性 | 第75-77页 |
| §3.5 大面积、自支撑的多孔GaN薄膜剥离后衬底的再利用 | 第77-80页 |
| §3.6 小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章 利用多孔GaN插入层生长低缺陷密度的半极性(11-22)多孔GaN薄膜 | 第83-111页 |
| §4.1 前言 | 第83-84页 |
| §4.2 实验 | 第84-85页 |
| §4.3 两步法MOCVD生长半极性(11-22)GaN薄膜 | 第85-88页 |
| §4.4 电化学法制备半极性(11-22)多孔GaN薄膜 | 第88-91页 |
| §4.5 利用多孔GaN插入层生长的低缺陷密度的半极性(11-22)GaN薄膜及其表征 | 第91-106页 |
| §4.5.1 利用多孔GaN插入层生长的低缺陷密度的半极性(11-22)GaN薄膜的结构特性 | 第92-96页 |
| §4.5.2 利用多孔GaN插入层生长的低缺陷密度的半极性(11-22)GaN薄膜的光学特性 | 第96-99页 |
| §4.5.3 利用多孔GaN插入层生长低缺陷密度半极性(11-22)GaN薄膜的机制 | 第99-100页 |
| §4.5.4 生长在多孔GaN插入层上的半极性(11-22)InGaN/GaN MQWs | 第100-105页 |
| §4.5.5 生长在多孔GaN插入层上的半极性(11-22)InGaN/GaN LEDs | 第105-106页 |
| §4.6 小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-111页 |
| 第五章 结论和展望 | 第111-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 学习/研修成果或发表文章 | 第117-121页 |
| Paper 1 | 第121-132页 |
| References: | 第130-132页 |
| Paper 2 | 第132-141页 |
| References: | 第139-141页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第141页 |
