| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-20页 |
| ·国内外研究状况 | 第13-16页 |
| ·发展趋势 | 第16-17页 |
| ·研究内容的提出 | 第17-20页 |
| 第二章 部分绝缘键合SOI结构材料基本理论与技术基础 | 第20-53页 |
| ·表面间的微观作用机理 | 第20-39页 |
| ·分子间短程作用力 | 第20-25页 |
| ·分子间长程作用力 | 第25-31页 |
| ·氢键 | 第31-32页 |
| ·固/液界面浸润与毛细现象 | 第32-35页 |
| ·亲水性与疏水性 | 第35-36页 |
| ·Hamaker常数 | 第36-39页 |
| ·表面处理 | 第39-40页 |
| ·湿法溶液表面处理 | 第39-40页 |
| ·干法等离子表面处理 | 第40页 |
| ·键合 | 第40-48页 |
| ·预键合中几种微观作用力估算与比较 | 第41-43页 |
| ·硅片键合中的热处理 | 第43-46页 |
| ·硅片键合中的非理想几何因素 | 第46-48页 |
| ·异质材料键合 | 第48页 |
| ·减薄 | 第48-50页 |
| ·键合质量检测与评估 | 第50-51页 |
| ·Si-Si键合界面导电特性 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第三章 部分绝缘键合SOI功率集成中埋层导通电阻 | 第53-73页 |
| ·二维简化模型 | 第54-65页 |
| ·二维简化模型的建立 | 第54-62页 |
| ·二维简化模型实验验证 | 第62-65页 |
| ·三维简化模型 | 第65-72页 |
| ·三维简化模型建立 | 第65-67页 |
| ·三维简化模型修正与讨论 | 第67-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第四章 部分绝缘键合SOI集成结构工艺基础 | 第73-88页 |
| ·器件隔离与深槽 | 第74-80页 |
| ·深槽刻蚀 | 第74-78页 |
| ·深槽填充 | 第78-79页 |
| ·深槽应力 | 第79-80页 |
| ·部分绝缘键合SOI结构光刻图形对位 | 第80-81页 |
| ·深槽侧墙SINK | 第81-82页 |
| ·部分绝缘SOI键合界面平整度 | 第82-87页 |
| ·颗粒与台阶 | 第82-85页 |
| ·微量气体膨胀 | 第85-86页 |
| ·温度对Van der Waals力影响 | 第86-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 第五章 部分绝缘键合SOI垂直导电器件集成 | 第88-108页 |
| ·部分绝缘键合SOI材料准备 | 第88-99页 |
| ·采用部分绝缘键合SOI的集成BCD结构 | 第99-107页 |
| ·部分绝缘键合SOI与BCD工艺兼容性 | 第100-101页 |
| ·部分绝缘键合SOI集成BCD器件结构兼容性 | 第101页 |
| ·兼容部分绝缘键合SOI工艺VDMOS主要参数设计考虑 | 第101-103页 |
| ·部分绝缘键合SOI集成BCD结构结果 | 第103-107页 |
| ·小结 | 第107-108页 |
| 第六章 不同负载功率X射线辐射特性 | 第108-120页 |
| ·样品X射线不同负载功率辐射 | 第108-111页 |
| ·X射线辐射实验结果 | 第111-112页 |
| ·X射线辐射结果讨论 | 第112-118页 |
| ·小结 | 第118-120页 |
| 第七章 部分绝缘键合SOI结构其他应用 | 第120-125页 |
| 第八章 结论与后续可开展的研究 | 第125-128页 |
| ·结论 | 第125-126页 |
| ·后续可开展的研究 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-142页 |
| 在学期间取得的研究成果 | 第142-144页 |