| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-16页 |
| ·半导体材料输运性质研究进展 | 第10-12页 |
| ·III-V族化合物半导体概述 | 第12-16页 |
| 2 第二章 蒙特卡罗方法 | 第16-31页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·蒙特卡罗粒子模型的引入 | 第16-17页 |
| ·散射问题 | 第17-19页 |
| ·蒙特卡罗方法的应用 | 第19-25页 |
| ·蒙特卡罗模拟过程 | 第20-25页 |
| ·对散射的近似处理 | 第25-27页 |
| ·动量弛豫率近似 | 第26页 |
| ·变型的动量弛豫率近似 | 第26-27页 |
| ·分布函数的平均量的统计 | 第27-28页 |
| ·初始条件以及模拟的收敛 | 第28页 |
| ·非抛物性能谷 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 3 第三章 计算模型以及优化 | 第31-46页 |
| ·载流子的散射 | 第31-41页 |
| ·电离杂质散射 | 第31-33页 |
| ·声学波形变势散射 | 第33-36页 |
| ·声学波压电散射 | 第36-37页 |
| ·光学波形变势散射 | 第37-38页 |
| ·谷间散射 | 第38-39页 |
| ·极性光学波散射 | 第39-41页 |
| ·粒子模型中电场的计算 | 第41-42页 |
| ·模拟计算流程 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 4 第四章 GaAs MESFET器件输运性质的蒙特卡罗模拟 | 第46-57页 |
| ·概述 | 第46页 |
| ·砷化镓简介 | 第46-47页 |
| ·GaAs的能带结构和散射机制 | 第47-50页 |
| ·载流子的漂移过程 | 第50页 |
| ·器件结构 | 第50-51页 |
| ·结果与分析 | 第51-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 5 第五章 GaP和InP体材料输运性质的蒙特卡罗模拟 | 第57-71页 |
| ·磷化镓和磷化铟简介 | 第57-58页 |
| ·磷化镓(GaP) | 第57页 |
| ·磷化铟(InP) | 第57-58页 |
| ·GaP和InP的能带结构和散射机制 | 第58-61页 |
| ·材料结构和参数 | 第61-62页 |
| ·结果与分析 | 第62-70页 |
| ·电子能量和电场空间分布 | 第63-64页 |
| ·电子密度的空间分布 | 第64-66页 |
| ·GaP器件中漂移速度、迁移率和电场强度的变化 | 第66-67页 |
| ·InP器件中漂移速度、迁移率和电场强度的变化 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 6 第六章 结论和展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 作者简历 | 第75-77页 |
| 学位论文数据集 | 第77页 |