| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-23页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·氮化硅薄膜的性质及主要应用 | 第11-15页 |
| ·物理性质及应用 | 第12-15页 |
| ·化学性质及应用 | 第15页 |
| ·氮化硅薄膜的主要制备方法 | 第15-20页 |
| ·等离子增强型化学气相沉积(PECVD)法 | 第15-18页 |
| ·等离子增强型化学气相沉积(PECVD)法基本原理 | 第15-17页 |
| ·两种不同激励方式的PECVD设备 | 第17-18页 |
| ·甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD) | 第18页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD)法 | 第18-19页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD)法 | 第19页 |
| ·微波电子回旋共振等离子增强形化学气相沉(MWECR-PECVD) | 第19-20页 |
| ·光化学气相沉积(Photo-CVD)法 | 第20页 |
| ·本论文的主要工作内容及意义 | 第20-23页 |
| 第二章 a-Si TFT的结构、制造工艺和工作机制 | 第23-31页 |
| ·a-Si TFT的结构 | 第23页 |
| ·TFT结构的制造工序 | 第23-27页 |
| ·a-Si TFT的工作机制 | 第27-29页 |
| ·TFT栅绝缘层、栅界面层及钝化层应满足的条件 | 第29-31页 |
| 第三章 实验 | 第31-44页 |
| ·实验材料及清洗 | 第31页 |
| ·RF-PECVD设备及其操作 | 第31-33页 |
| ·氮化硅薄膜样品的制备 | 第33-36页 |
| ·栅绝缘层和栅界面层氮化硅薄膜实验设计(DOE) | 第33-35页 |
| ·钝化层氮化硅薄膜的制备 | 第35-36页 |
| ·工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响 | 第36-38页 |
| ·氮化硅薄膜反应机理 | 第38-40页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第40-44页 |
| ·傅立叶转换红外光谱法(FTIR) | 第40-41页 |
| ·椭偏仪 | 第41-44页 |
| 第四章 栅绝缘层/界面层氮化硅薄膜结构和性能分析 | 第44-59页 |
| ·a-SiN_x:H薄膜的红外光谱分析 | 第45-48页 |
| ·工艺参数对栅绝缘层氮化硅薄膜沉积速率的影响 | 第48-50页 |
| ·沉积速率对氮化硅薄膜结构的影响 | 第50-52页 |
| ·Si-H键含量、N-H键含量和氢含量对氮化硅薄膜性能的影响 | 第52-56页 |
| ·栅界面层氮化硅薄膜 | 第56-59页 |
| 第五章 钝化层(PVX)氮化硅薄膜 | 第59-69页 |
| ·台阶覆盖性 | 第59-60页 |
| ·实验结果及分析 | 第60-69页 |
| 第六章 结论与展望 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表和录用的学术论文 | 第77页 |
