0.15微米高速逻辑电路器件优化与良率提升

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-15页
1 绪论	第15-20页
·半导体产业的发展概况	第15-16页
·逻辑器件的分类及应用	第16-18页
·现有0.15 微米高速逻辑器件面临的问题	第18-20页
2 0.15 微米高速逻辑电路器件特性的优化	第20-37页
·0.15 微米高速逻辑电路制造工艺流程简介	第20-22页
·高速逻辑集成电路器件特性	第22-26页
·横向和纵向器件饱和电流差异问题	第26-32页
·理论分析原因	第26-29页
·实验验证	第29-31页
·改进结果	第31-32页
·漏电流较大的问题	第32-37页
·理论分析原因	第32-35页
·实验验证	第35-36页
·改进结果	第36-37页
3 良率的提升	第37-47页
·良率提升的挑战	第37-38页
·金属内连线损伤的改善	第38-42页
·理论分析原因	第38-41页
·工艺条件的改进	第41-42页
·金属间空洞问题的解决	第42-47页
·理论分析原因	第42-44页
·工艺条件的改进	第44-47页
4 总结及未来发展	第47-54页
·总结	第47-48页
·未来发展	第48-54页
参考文献	第54-58页
致谢	第58-59页
攻读学位期间发表的学术论文	第59-62页
上海交通大学学位论文答辩决议书	第62页