SnO2纳米结构与BaZrxTi1-xO3铁电移相器
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 纳米结构综述 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12-15页 |
| ·纳米结构制备 | 第15-19页 |
| ·碳纳米管制备 | 第16-17页 |
| ·ZnO纳米结构制备 | 第17-18页 |
| ·Si纳米结构的制备 | 第18-19页 |
| ·可控制备纳米结构 | 第19-21页 |
| ·GaP"nanotree"结构制备 | 第19-20页 |
| ·碳纳米管的"V"型联结结构的制备 | 第20-21页 |
| ·三维氧化钨纳米网络的制备 | 第21页 |
| ·本论文的工作 | 第21-23页 |
| 第二章 蒸发模式制备半导体纳米结构 | 第23-42页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·纳米结构的制备方法简介 | 第24-28页 |
| ·实验简介 | 第28-29页 |
| ·反应系统设计 | 第28页 |
| ·纳米材料生长机制简介 | 第28-29页 |
| ·SnO_2纳米结构的制备 | 第29-40页 |
| ·温度对SnO_2纳米结构生长的影响 | 第30-33页 |
| ·催化剂对SnO_2纳米结构生长的影响 | 第33-40页 |
| ·Au催化剂制备SnO_2纳米结构 | 第35-37页 |
| ·不同催化剂的选择对制备纳米结构的影响 | 第37-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第三章 SiO_2和ZnO的纳米结构的制备 | 第42-50页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·SiO_2纳米结构的制备 | 第42-45页 |
| ·SiO_2简介 | 第42-43页 |
| ·实验原理和SiO_2水母状纳米结构制备 | 第43-45页 |
| ·ZnO纳米结构的制备 | 第45-49页 |
| ·氧化锌简介 | 第45-46页 |
| ·ZnO纳米带结构制备与分析 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第四章 分支和嫁接纳米结构制备 | 第50-66页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·分支结构的制备 | 第50-63页 |
| ·本征分支结构的制备 | 第51-54页 |
| ·可控分支结构的制备 | 第54-63页 |
| ·基于Au纳米点可控分支结构的制备 | 第55-60页 |
| ·基于Pt纳米点可控分支结构的制备 | 第60-63页 |
| ·纳米嫁接结构的制备 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第五章 半导体纳米结构场发射特性 | 第66-73页 |
| ·引言 | 第66-68页 |
| ·SnO_2纳米结构场发射性能研究 | 第68-72页 |
| ·半导体场发射理论简介 | 第68页 |
| ·场发射测试装置简介 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第六章 SnO_2纳米线结构储能特性 | 第73-85页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·SnO_2纳米材料应用于锂离子电池负极 | 第73-81页 |
| ·锂离子电池简介和研究背景 | 第73-76页 |
| ·电池的组装 | 第76-78页 |
| ·电池性能测试和分析 | 第78-81页 |
| ·SnO_2纳米材料应用于超级电容器 | 第81-84页 |
| ·超级电容器的简介和研究背景 | 第81-82页 |
| ·超级电容器的结构简介 | 第82页 |
| ·超级电容器的制备 | 第82-83页 |
| ·性能测试和分析 | 第83-84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| 第七章 SnO_2纳米线气敏传感器的制备和性能 | 第85-92页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·SnO_2纳米线传感器的制备和测试 | 第86-90页 |
| ·传感器器件的制备 | 第86-87页 |
| ·传感器测试系统简介 | 第87-88页 |
| ·性能测试与分析 | 第88-90页 |
| ·小结 | 第90-92页 |
| 第八章 铁电微波移相器简介 | 第92-102页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·相控阵列天线及其工作原理 | 第92-94页 |
| ·铁电移相器 | 第94-96页 |
| ·铁电移相器的工作原理 | 第95页 |
| ·铁电移相器的材料选择标准 | 第95-96页 |
| ·(Ba,Sr)TiO_3材料 | 第96-99页 |
| ·(Ba,Sr)TiO_3概述 | 第96-98页 |
| ·影响可调性能的因素 | 第98-99页 |
| ·我们的工作 | 第99-102页 |
| ·Ba(Zr,Ti)O_3材料简介 | 第99-100页 |
| ·我们的工作的意义和目的 | 第100-102页 |
| 第九章 BST薄膜制备及性能表征 | 第102-113页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·脉冲激光沉积以及系统简介 | 第103-105页 |
| ·PLD制膜原理 | 第104页 |
| ·PLD设备系统简介 | 第104-105页 |
| ·PLD用陶瓷靶材的制备 | 第105页 |
| ·衬底的选择和电极的制备 | 第105-108页 |
| ·衬底的选择 | 第105-106页 |
| ·电容器结构的选择 | 第106-107页 |
| ·电极的制备 | 第107-108页 |
| ·薄膜微结构表征方法 | 第108-109页 |
| ·薄膜电学性能测试方法 | 第109-110页 |
| ·介电常数的测试 | 第109页 |
| ·介电温谱测量 | 第109-110页 |
| ·实验结果及分析 | 第110-112页 |
| ·小结 | 第112-113页 |
| 第十章 BZT薄膜制备及性能表征 | 第113-125页 |
| ·实验设计 | 第113页 |
| ·我们的目标 | 第113-114页 |
| ·实验过程 | 第114-118页 |
| ·衬底的选定 | 第114页 |
| ·薄膜成分选择 | 第114-115页 |
| ·薄膜晶粒的控制 | 第115-116页 |
| ·大面积均匀薄膜的制备 | 第116-118页 |
| ·薄膜性能测试 | 第118-122页 |
| ·移相器件的研制 | 第122-124页 |
| ·小结 | 第124-125页 |
| 第十一章 全文总结 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-137页 |
| 攻读博士期间发表的论文和专利目录 | 第137-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 个人简历 | 第141-142页 |
