| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第一部分 PLD法CO:BaTiO_3:纳米复合薄膜的制备、结构及其性质研究 | 第14-102页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1 铁电薄膜在高新技术领域中的应用 | 第16-22页 |
| ·铁电体的定义 | 第16-17页 |
| ·铁电薄膜及其应用 | 第17-19页 |
| ·BaTiO_3的铁电性 | 第19-22页 |
| 2 金属纳米复合薄膜 | 第22-27页 |
| ·纳米团簇的定义及若干简单性质 | 第22-25页 |
| ·纳米复合薄膜的概念 | 第25页 |
| ·铁电体-金属纳米颗粒复合薄膜的研究现状及可能的应用前景 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 Co:BaTiO_3薄膜的激光法制备及其微结构分析 | 第30-69页 |
| 1 引言 | 第30-31页 |
| 2 激光气相沉积技术 | 第31-41页 |
| ·一般性论述 | 第31-32页 |
| ·脉冲激光气相沉积的基本原理 | 第32-39页 |
| ·脉冲激光气相沉积的具体方法 | 第39-41页 |
| 3 Co:BATIO_3的制备与微结构分析 | 第41-65页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·Co:BaTiO_3薄膜的制备实验 | 第42-43页 |
| ·在单晶衬底上外廷生长铁电薄膜的理论模型 | 第43-65页 |
| 4 本章小节 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第三章 CO:BaTiO_3薄膜的光学性质研究 | 第69-95页 |
| 1 引言 | 第69-72页 |
| 2 CO:BaTiO_3薄膜的吸收光谱 | 第72-85页 |
| ·单晶BaTiO_3吸收光谱 | 第72-76页 |
| ·Co:BaTiO_3/Mg(100)纳米复合薄膜的吸收光谱 | 第76-81页 |
| ·Co:BaTiO_3/Si(100)纳米复合薄骥的反射光谱 | 第81-85页 |
| 3 BaTiO_3纳米复合薄膜光致发光光谱 | 第85-88页 |
| 4 CO:BaTiO_3薄膜的RAMAN光谱 | 第88-92页 |
| ·相关的名词及唯象表述 | 第88-90页 |
| ·Co:BaTiO_3薄膜Raman分析 | 第90-92页 |
| 5 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-95页 |
| 第四章 CO:BaTiO_3薄膜的光电子能谱研究 | 第95-102页 |
| 1 引言 | 第95页 |
| 2 结果与讨论 | 第95-99页 |
| 3 本章小节 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第二部分 低压等离子体化学气相沉积法(LPP-CVD)制备C_xH_(1-x)薄膜 | 第102-139页 |
| 第五章 绪论 | 第104-117页 |
| 1 引言 | 第104-105页 |
| 2 LPP-CVD方法的基本原理和研究现状 | 第105-115页 |
| ·能量偶合方式及能量转换 | 第105-106页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第106-107页 |
| ·目前采用等离子体CVD制备CH薄膜的方法及优缺点。 | 第107-110页 |
| ·CH薄膜的生长机制 | 第110-115页 |
| 参考文献 | 第115-117页 |
| 第六章 C_xH_(1-x)薄膜的制备 | 第117-128页 |
| 1 实验方法 | 第117-118页 |
| 2 结果与讨论 | 第118-124页 |
| ·C_xH_(1-x)薄膜的FT-IR及XPS研究 | 第118-121页 |
| ·H_2及H~+对C_xH_(1-x)薄膜表面状态的影响 | 第121-124页 |
| 3 微球表面制备碳氢涂层研究 | 第124-125页 |
| 4 结论 | 第125-128页 |
| 第七章 C_xH_(1-x)薄膜光学性质 | 第128-136页 |
| 1 从透射谱计算光学常数的方法 | 第128-129页 |
| 2 C_xH_(1-x)薄膜可见紫外光谱研究 | 第129-136页 |
| 第八章 全文总结 | 第136-139页 |
| 1 CO:BaTiO_3纳米复合薄膜总结 | 第136-137页 |
| 2 C_xH_(1-x)薄膜总结 | 第137-139页 |
| 附录A 与纳米颗粒相关的线性响应理论 | 第139-145页 |
| 参考文献 | 第144-145页 |
| 附录B 函数拟合及数值积分方法 | 第145-151页 |
| 参考文献 | 第150-151页 |
| 攻读学位期间的论文及成果 | 第151-154页 |
| 致谢 | 第154页 |