铝栅工艺特征尺寸小型化的研究与应用
| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| ·课题的研究背景 | 第12-13页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第13-14页 |
| ·论文的结构 | 第14页 |
| ·论文的研究成果 | 第14-15页 |
| 第二章 铝栅工艺概述 | 第15-21页 |
| ·引言 | 第15-17页 |
| ·铝栅工艺的发展概况 | 第17-21页 |
| 第三章 子工艺模块开发 | 第21-43页 |
| ·模型的引用 | 第21-31页 |
| ·工艺模型 | 第21-24页 |
| ·电性仿真模型 | 第24-29页 |
| ·组件制程仿真步骤 | 第29-31页 |
| ·各层次对准定义 | 第31-33页 |
| ·衬底规格的选取 | 第33-34页 |
| ·P阱深度与浓度的确定 | 第34-36页 |
| ·栅氧化层的生长 | 第36-39页 |
| ·接触孔刻蚀的定义 | 第39-41页 |
| ·金属层刻蚀方法的确定 | 第41-43页 |
| 第四章 样品试制 | 第43-50页 |
| ·Vt注入后活化程式的调整 | 第43-45页 |
| ·等离子工艺的影响 | 第45-48页 |
| ·B、P对器件性能的影响 | 第48页 |
| ·VT可靠性验证 | 第48-50页 |
| 第五章 工艺量产分析 | 第50-66页 |
| ·在线参数监测 | 第50-51页 |
| ·WAT参数检测 | 第51-65页 |
| ·MOS基本特性 | 第53-61页 |
| ·电阻的测量 | 第61-63页 |
| ·栅氧化层质量的监控 | 第63-64页 |
| ·断/短路测试 | 第64-65页 |
| 附: WAT失效机制对应表 | 第65-66页 |
| 第六章 特征尺寸小型化的实现 | 第66-77页 |
| ·3.0um铝栅工艺特性分析 | 第66-70页 |
| ·2.0um工艺的实现 | 第70-73页 |
| ·更小尺寸的探究 | 第73-77页 |
| 第七章 结束语 | 第77-79页 |
| ·全文工作总结 | 第77页 |
| ·特征尺寸小型化的展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第82-83页 |
| 附录A 2.0um 3v SPICE Model | 第83-85页 |
