第一章 文献综述 | 第1-51页 |
·芯片毛细管电泳安培检测器 | 第14-35页 |
·芯片毛细管电泳安培检测器的模式 | 第15-20页 |
·工作电极的分类 | 第20-32页 |
·外置式工作电极及特点 | 第20-24页 |
·半集成化工作电极及特点 | 第24-26页 |
·集成化工作电极及特点 | 第26-32页 |
·芯片毛细管电泳安培检测系统的分析应用 | 第32-35页 |
·芯片毛细管电泳安培检测发展前景展望 | 第35页 |
·高聚物芯片 | 第35-46页 |
·高聚物芯片的制备 | 第36-38页 |
·高聚物芯片的结构成型 | 第36页 |
·高聚物芯片的封合 | 第36-38页 |
·高聚物毛细管电泳安培检测芯片 | 第38-43页 |
·PDMS/玻璃“杂交”芯片 | 第39-40页 |
·全PDMS芯片 | 第40-41页 |
·全热塑性高聚物芯片 | 第41-43页 |
·高聚物芯片集成化金属微电极的制备 | 第43-46页 |
·沉积-光刻法 | 第43页 |
·热压法 | 第43-44页 |
·光敏试剂保护氨基法 | 第44-46页 |
参考文献 | 第46-51页 |
第二章 用光敏化选择性化学镀法在聚碳酸酯(PC)基片上制作金属微电极 | 第51-70页 |
·引言 | 第51-52页 |
·实验部分 | 第52-54页 |
·仪器 | 第52页 |
·材料与试剂 | 第52-53页 |
·PC表面选择性区域的光化学改性 | 第53页 |
·在光照区域形成化学镀催化中心 | 第53页 |
·在PC表面选择性区域化学镀金膜微电极 | 第53-54页 |
·退火 | 第54页 |
·结果与讨论 | 第54-68页 |
·光源的选择和光照时间 | 第54-55页 |
·光化学改性后的PC表面的表征 | 第55-59页 |
·经过胺化的PC表面的表征 | 第59-61页 |
·氯金酸溶液的酸度与“过镀”现象 | 第61-62页 |
·用硫氰酸钾溶液超声清洗PC片消除过镀 | 第62-63页 |
·在PC表面光化学改性区域化学镀金或铜 | 第63-66页 |
·金膜微电极电化学性质的表征 | 第66页 |
·金膜微电极对PC基片的附着牢度 | 第66-68页 |
·结论 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-70页 |
第三章 集成化聚碳酸酯(PC)毛细管电泳-安培检测芯片的制备及在神经递质分离分析中的应用 | 第70-86页 |
·引言 | 第70-71页 |
·实验部分 | 第71-75页 |
·仪器 | 第71页 |
·材料与试剂 | 第71-72页 |
·PC基片和盖片的预处理 | 第72页 |
·CE-AD PC芯片的封合 | 第72-74页 |
·电泳分离分析 | 第74-75页 |
·结果与讨论 | 第75-83页 |
·电极形状的设计 | 第75页 |
·电极的对准和芯片的封合 | 第75-76页 |
·分离和检测条件的优化 | 第76-79页 |
·缓冲溶液的选择 | 第76-77页 |
·分离电压的选择 | 第77-78页 |
·检测电位的选择 | 第78-79页 |
·分析性能 | 第79-81页 |
·工作电极的寿命 | 第81-83页 |
·结论 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-86页 |
第四章 用光胶做挡光层的紫外光刻掩膜及应用于高聚物芯片表面的选择性光化学改性 | 第86-96页 |
·引言 | 第86页 |
·实验部分 | 第86-88页 |
·仪器 | 第86-87页 |
·材料与试剂 | 第87页 |
·涂AZ光胶石英掩膜的制备 | 第87页 |
·聚碳酸酯(PC)表面的选择性光化学改性 | 第87-88页 |
·PC表面的选择性化学镀 | 第88页 |
·结果与讨论 | 第88-95页 |
·AZ正性光胶的分子结构和吸光特性 | 第88-90页 |
·涂AZ光胶石英掩膜的质量 | 第90页 |
·涂AZ光胶石英掩膜的图形转移质量 | 第90-93页 |
·涂AZ光胶石英掩膜的应用 | 第93-95页 |
·结论 | 第95页 |
参考文献 | 第95-96页 |
第五章 导电高聚物-聚苯胺(PAn)修饰的高灵敏金膜微电极 | 第96-103页 |
·引言 | 第96页 |
·实验部分 | 第96-98页 |
·仪器 | 第97页 |
·材料与试剂 | 第97页 |
·用循环伏安(CV)法在金膜微电极上电化学聚合苯胺 | 第97-98页 |
·结果与讨论 | 第98-101页 |
·金膜微电极上苯胺的电化学聚合 | 第98-99页 |
·PAn的电化学性质 | 第99-100页 |
·PAn修饰金膜微电极对多巴胺(DA)的电催化氧化 | 第100-101页 |
·结论 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-103页 |
致谢 | 第103-105页 |
附录 | 第105-106页 |