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在聚碳酸酯微流控芯片上制备集成化微电极及其应用于芯片毛细管电泳安培检测系统的研究

第一章 文献综述第1-51页
   ·芯片毛细管电泳安培检测器第14-35页
     ·芯片毛细管电泳安培检测器的模式第15-20页
     ·工作电极的分类第20-32页
       ·外置式工作电极及特点第20-24页
       ·半集成化工作电极及特点第24-26页
       ·集成化工作电极及特点第26-32页
     ·芯片毛细管电泳安培检测系统的分析应用第32-35页
     ·芯片毛细管电泳安培检测发展前景展望第35页
   ·高聚物芯片第35-46页
     ·高聚物芯片的制备第36-38页
       ·高聚物芯片的结构成型第36页
       ·高聚物芯片的封合第36-38页
     ·高聚物毛细管电泳安培检测芯片第38-43页
       ·PDMS/玻璃“杂交”芯片第39-40页
       ·全PDMS芯片第40-41页
       ·全热塑性高聚物芯片第41-43页
     ·高聚物芯片集成化金属微电极的制备第43-46页
       ·沉积-光刻法第43页
       ·热压法第43-44页
       ·光敏试剂保护氨基法第44-46页
 参考文献第46-51页
第二章 用光敏化选择性化学镀法在聚碳酸酯(PC)基片上制作金属微电极第51-70页
   ·引言第51-52页
   ·实验部分第52-54页
     ·仪器第52页
     ·材料与试剂第52-53页
     ·PC表面选择性区域的光化学改性第53页
     ·在光照区域形成化学镀催化中心第53页
     ·在PC表面选择性区域化学镀金膜微电极第53-54页
     ·退火第54页
   ·结果与讨论第54-68页
     ·光源的选择和光照时间第54-55页
     ·光化学改性后的PC表面的表征第55-59页
     ·经过胺化的PC表面的表征第59-61页
     ·氯金酸溶液的酸度与“过镀”现象第61-62页
     ·用硫氰酸钾溶液超声清洗PC片消除过镀第62-63页
     ·在PC表面光化学改性区域化学镀金或铜第63-66页
     ·金膜微电极电化学性质的表征第66页
     ·金膜微电极对PC基片的附着牢度第66-68页
   ·结论第68-69页
 参考文献第69-70页
第三章 集成化聚碳酸酯(PC)毛细管电泳-安培检测芯片的制备及在神经递质分离分析中的应用第70-86页
   ·引言第70-71页
   ·实验部分第71-75页
     ·仪器第71页
     ·材料与试剂第71-72页
     ·PC基片和盖片的预处理第72页
     ·CE-AD PC芯片的封合第72-74页
     ·电泳分离分析第74-75页
   ·结果与讨论第75-83页
     ·电极形状的设计第75页
     ·电极的对准和芯片的封合第75-76页
     ·分离和检测条件的优化第76-79页
       ·缓冲溶液的选择第76-77页
       ·分离电压的选择第77-78页
       ·检测电位的选择第78-79页
     ·分析性能第79-81页
     ·工作电极的寿命第81-83页
   ·结论第83-84页
 参考文献第84-86页
第四章 用光胶做挡光层的紫外光刻掩膜及应用于高聚物芯片表面的选择性光化学改性第86-96页
   ·引言第86页
   ·实验部分第86-88页
     ·仪器第86-87页
     ·材料与试剂第87页
     ·涂AZ光胶石英掩膜的制备第87页
     ·聚碳酸酯(PC)表面的选择性光化学改性第87-88页
     ·PC表面的选择性化学镀第88页
   ·结果与讨论第88-95页
     ·AZ正性光胶的分子结构和吸光特性第88-90页
     ·涂AZ光胶石英掩膜的质量第90页
     ·涂AZ光胶石英掩膜的图形转移质量第90-93页
     ·涂AZ光胶石英掩膜的应用第93-95页
   ·结论第95页
 参考文献第95-96页
第五章 导电高聚物-聚苯胺(PAn)修饰的高灵敏金膜微电极第96-103页
   ·引言第96页
   ·实验部分第96-98页
     ·仪器第97页
     ·材料与试剂第97页
     ·用循环伏安(CV)法在金膜微电极上电化学聚合苯胺第97-98页
   ·结果与讨论第98-101页
     ·金膜微电极上苯胺的电化学聚合第98-99页
     ·PAn的电化学性质第99-100页
     ·PAn修饰金膜微电极对多巴胺(DA)的电催化氧化第100-101页
   ·结论第101-102页
 参考文献第102-103页
致谢第103-105页
附录第105-106页

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