直拉硅中亚稳态缺陷的形成及其与氧的相互作用
| 第一章 文献评述 | 第1-17页 |
| 1-1 硅中的杂质氧 | 第7-13页 |
| 1-1-1 硅中氧的基本性质 | 第7页 |
| 1-1-2 硅中氧的扩散 | 第7-10页 |
| 1-1-3 硅中氧的沉淀 | 第10-12页 |
| 1-1-4 硅中氧的控制与利用 | 第12-13页 |
| 1-2 硅中的氮 | 第13页 |
| 1-3 单晶硅的高能粒子辐照效应 | 第13-16页 |
| 1-3-1 高能粒子辐照 | 第13-15页 |
| 1-3-2 辐照缺陷的退火行为 | 第15-16页 |
| 1-4 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验过程 | 第17-25页 |
| 2-1 快中子辐照实验 | 第17-19页 |
| 2-1-1 核反应堆的工作原理 | 第17页 |
| 2-1-2 核反应堆的组成 | 第17-18页 |
| 2-1-3 反应堆的结构形式和分类 | 第18页 |
| 2-1-4 样品的快中子辐照实验 | 第18-19页 |
| 2-2 热处理实验 | 第19-20页 |
| 2-3 红外光谱测试 | 第20页 |
| 2-3-1 红外光谱技术简述 | 第20页 |
| 2-3-2 红外测量 | 第20页 |
| 2-4 腐蚀观察 | 第20-21页 |
| 2-5 正电子湮没技术测试 | 第21-25页 |
| 2-5-1 正电子和正电子湮没 | 第21-22页 |
| 2-5-2 正电子湮没实验原理 | 第22-23页 |
| 2-5-2 正电子湮没实验 | 第23-25页 |
| 第三章 快中子辐照直拉硅亚稳态缺陷的形成及其转化 | 第25-35页 |
| 3-1 快中子辐照在单晶硅中引入的亚稳态缺陷 | 第25-29页 |
| 3-1-1 实验结果 | 第25-28页 |
| 3-1-2 结果分析 | 第28-29页 |
| 3-2 亚稳态缺陷的退火规律 | 第29-34页 |
| 3-2-1 实验结果 | 第29页 |
| 3-2-2 结果分析 | 第29-34页 |
| 3-3 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 快中子辐照直拉硅中缺陷与氧的相互作用 | 第35-48页 |
| 4-1 快中子辐照直拉硅中间隙氧含量的变化 | 第35-38页 |
| 4-1-1 实验结果 | 第35-37页 |
| 4-1-2 结果分析 | 第37-38页 |
| 4-2 快中子辐照直拉硅中氧的沉淀 | 第38-46页 |
| 4-2-1 实验结果 | 第38-45页 |
| 4-2-2 结果分析 | 第45-46页 |
| 4-3 小结 | 第46-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士学位期间取得的相关科研成果 | 第53页 |
