| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·太阳辐射 | 第10-11页 |
| ·Low-e 薄膜的原理 | 第11-14页 |
| ·Low-e 玻璃的特点及其应用 | 第14-15页 |
| ·Low-e 薄膜的分类 | 第15-19页 |
| ·在线膜及其制备方法 | 第15-17页 |
| ·离线膜极其制备方法 | 第17-19页 |
| ·硅薄膜的应用 | 第19-20页 |
| ·硅薄膜的表面钝化 | 第20页 |
| ·薄膜生长理论 | 第20-22页 |
| ·薄膜的形成 | 第20-21页 |
| ·薄膜生长的四个阶段 | 第21-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 电子束蒸发法及薄膜表征技术 | 第23-38页 |
| ·电子束蒸发法 | 第23-32页 |
| ·真空系统[55-56] | 第24-28页 |
| ·蒸发系统[55-56] | 第28-30页 |
| ·膜厚控制系统[55-56] | 第30-31页 |
| ·衬底温度监测与控制系统 | 第31页 |
| ·Low-e 薄膜的制备条件 | 第31-32页 |
| ·薄膜的表征测试技术 | 第32-37页 |
| ·X 射线衍射(XRD)测试技术 | 第32-33页 |
| ·薄膜光学测试 | 第33-35页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 |
| ·X 射线能量色散谱分析（EDS） | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 重掺硅膜的制备及表征 | 第38-44页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·实验结果及分析 | 第39-42页 |
| ·电学性能测试 | 第39页 |
| ·光学性能测试 | 第39页 |
| ·Si 薄膜的表面形貌及成分分析 | 第39-42页 |
| ·实验总结 | 第42-44页 |
| 第五章 电子束蒸发制备非晶硅薄膜及其铝诱导低温晶化 | 第44-50页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·实验结果与分析 | 第45-48页 |
| ·XRD 分析 | 第45-48页 |
| ·UV 光谱分析 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 电子束蒸发制备 Al 掺杂 Si 膜 | 第50-53页 |
| ·实验过程 | 第50页 |
| ·实验结果及分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第七章 电子束蒸发制备重掺硅膜的其他应用 | 第53-60页 |
| ·重掺硅膜保护的 Ag 基 Low-e 玻璃 | 第53-58页 |
| ·实验用薄膜规格 | 第53-54页 |
| ·单层银膜在可见光波段内的分析 | 第54-55页 |
| ·单层银膜在红外波段内的分析 | 第55页 |
| ·Si 层厚度对 Si/Ag/Si 薄膜的光学性能影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| ·Si 薄膜在金属防腐蚀的应用 | 第58-60页 |
| ·研究意义 | 第58页 |
| ·实验及结果讨论 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第八章 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
| 详细摘要 | 第66-73页 |