低漏电流功率开关集成电路
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| ·器件结构与工艺步骤 | 第10-13页 |
| ·工艺步骤 | 第10-11页 |
| ·自对准双极晶体管 | 第11-12页 |
| ·n沟和p沟MOS管 | 第12页 |
| ·金属化工艺 | 第12-13页 |
| ·电学性能 | 第13-14页 |
| ·npn管和CMOS参数 | 第13页 |
| ·基本门单元 | 第13-14页 |
| ·课题背景和意义 | 第14页 |
| ·本文主要的工作 | 第14-15页 |
| 第二章 电路原理与设计 | 第15-32页 |
| ·电流源基本单元电路原理 | 第15-19页 |
| ·基本型恒流源 | 第15-16页 |
| ·电阻比例恒流源 | 第16-17页 |
| ·基本型PNP恒流源 | 第17-18页 |
| ·基本MOS管恒流源 | 第18-19页 |
| ·基准源基本单元电路原理 | 第19-21页 |
| ·双极型二管能隙基准源 | 第19-20页 |
| ·双极型三管能隙基准源 | 第20-21页 |
| ·单片式 | 第21-26页 |
| ·主回路 | 第21-23页 |
| ·输出保护电路 | 第23-24页 |
| ·工作电源保护电路 | 第24-26页 |
| ·双片式 | 第26-32页 |
| ·电路工作原理 | 第26-27页 |
| ·输入滞回比较器 | 第27-28页 |
| ·电源电压保护电路 | 第28-29页 |
| ·基准电压源 | 第29-30页 |
| ·整体仿真 | 第30-32页 |
| 第三章 仿真结果与分析 | 第32-41页 |
| ·输入信号转折电平 | 第32页 |
| ·输出电流 | 第32-33页 |
| ·漏电流 | 第33页 |
| ·驱动管宽长比对导通电阻的影响 | 第33-34页 |
| ·输出管面积因子对导通电阻的影响 | 第34页 |
| ·部分电阻对输出电压、输出电流和导通电阻的影响 | 第34-38页 |
| ·电路正常工作时的电源电压范围 | 第38-39页 |
| ·部分电阻阻值之和对输入转折电平的影响 | 第39页 |
| ·功耗估算 | 第39-40页 |
| ·导通电阻 | 第40页 |
| ·开关速度 | 第40-41页 |
| 第四章 纵向PNP管的设计 | 第41-48页 |
| ·整体结构 | 第41页 |
| ·纵向剖面图 | 第41页 |
| ·基区宽度 | 第41-42页 |
| ·外延层载流子寿命 | 第42-43页 |
| ·反向分析 | 第43-46页 |
| ·理论分析 | 第43页 |
| ·模拟分析 | 第43-44页 |
| ·表面产生电流 | 第44页 |
| ·开关速度 | 第44-46页 |
| ·材料与工艺 | 第46-48页 |
| 第五章 工艺与版图设计 | 第48-66页 |
| ·工艺概述 | 第48-51页 |
| ·主要器件纵向剖面图 | 第51页 |
| ·材料制备 | 第51页 |
| ·版图概述 | 第51-52页 |
| ·横向PNP晶体管结构及版图 | 第52-56页 |
| ·典型横向PNP晶体管结构与特性 | 第52-54页 |
| ·可控增益横向PNP管的结构与特性 | 第54-55页 |
| ·扩展电极增强电流法 | 第55-56页 |
| ·纵向PNP晶体管的结构及版图 | 第56-57页 |
| ·典型纵向PNP晶体管结构和特性 | 第56页 |
| ·芯片中纵向PNP晶体管结构和特性 | 第56-57页 |
| ·NMOS场效应管结构及版图 | 第57-59页 |
| ·典型NMOS场效应管结构与特性 | 第57-58页 |
| ·芯片中的NMOS管 | 第58-59页 |
| ·集成电阻器 | 第59-60页 |
| ·齐纳击穿阻值修正工艺 | 第60-61页 |
| ·版图设计规则 | 第61-63页 |
| ·主要版图验证函数 | 第63-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附录一 | 第71-74页 |
| 附录二 | 第74-75页 |
| 附录三 | 第75-90页 |
| 附录四 | 第90-98页 |
| 附录五 | 第98-99页 |
| 附录六 | 第99-102页 |
| 附录七 | 第102-108页 |
| 附录八 | 第108-109页 |
| 附录九 | 第109页 |
