| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-41页 |
| ·层层静电自组装 | 第19-31页 |
| ·自组装材料的分类 | 第19-22页 |
| ·纳米管、线 | 第21页 |
| ·纳米团簇 | 第21页 |
| ·自组装薄膜 | 第21-22页 |
| ·孔洞材料 | 第22页 |
| ·自组装薄膜的分类 | 第22-24页 |
| ·Langmuir-Blodgett(LB)薄膜 | 第22-23页 |
| ·化学吸附自组装薄膜 | 第23-24页 |
| ·静电自组装薄膜 | 第24页 |
| ·静电自组装技术 | 第24-31页 |
| ·静电自组装原理及适用范围 | 第25-26页 |
| ·静电自组装成膜物质的种类 | 第26-27页 |
| ·影响静电自组装成膜的因素 | 第27-28页 |
| ·静电自组装膜表征方法 | 第28-30页 |
| ·静电自组装技术的应用 | 第30-31页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器 | 第31-40页 |
| ·气敏传感器分类 | 第31-33页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器的发展历程 | 第33-34页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器的敏感机理 | 第34-35页 |
| ·表面吸附控制型 | 第34-35页 |
| ·体原子价态控制型 | 第35页 |
| ·半导体气体传感器的主要技术指标 | 第35-36页 |
| ·工作温度 | 第35-36页 |
| ·元件电阻 | 第36页 |
| ·灵敏度 | 第36页 |
| ·选择性 | 第36页 |
| ·响应－恢复时间 | 第36页 |
| ·稳定性 | 第36页 |
| ·掺杂对ZnO 基材料气敏性能的影响 | 第36-38页 |
| ·掺杂对金属氧化物半导体气敏性能影响的原理 | 第36-37页 |
| ·ZnO 掺杂种类 | 第37-38页 |
| ·气敏传感器的现状及发展趋势 | 第38-40页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第40-41页 |
| 第二章 ZNO 自组装薄膜的制备 | 第41-71页 |
| ·实验部分 | 第41-44页 |
| ·实验材料及测试仪器 | 第41-42页 |
| ·ZnO_2 溶胶的制备 | 第42页 |
| ·基底的清洗和亲水处理 | 第42-43页 |
| ·自组装薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·ZnO_2 溶胶制备过程监测 | 第44-46页 |
| ·ZnO_2 和ZNO 的反应机理 | 第46-49页 |
| ·ZNO 和ZnO_2 的形貌与结构分析 | 第49-55页 |
| ·激光光散射粒度分析 | 第49-50页 |
| ·电境分析 | 第50-52页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第52-53页 |
| ·红外光谱分析 | 第53-55页 |
| ·ZNO 自组装薄膜的测试 | 第55-70页 |
| ·ZnO 自组装薄膜成膜过程监测 | 第55-57页 |
| ·ZnO 自组装薄膜成膜参数优化 | 第57-60页 |
| ·ZnO 自组装薄膜形貌结构表征 | 第60-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第三章 ZNO 自组装薄膜的气敏性能研究 | 第71-101页 |
| ·实验部分 | 第71-73页 |
| ·实验材料及测试仪器 | 第71-72页 |
| ·ZnO 自组装薄膜气敏元件的制备 | 第72-73页 |
| ·ZnO 气敏元件的测试 | 第73页 |
| ·ZNO 气敏元件形貌结构分析 | 第73-76页 |
| ·ZNO：AL 自组装薄膜H_2 敏感性能研究 | 第76-83页 |
| ·ZnO：Al 自组装薄膜工艺参数对气敏性能的影响 | 第76-82页 |
| ·ZnO：Al 自组装薄膜气敏稳定性的测试 | 第82-83页 |
| ·ZnO：Al 自组装薄膜和厚膜元件气敏性能的对比 | 第83页 |
| ·ZNO：AL 自组装薄膜NH_3 敏感性能研究 | 第83-86页 |
| ·Al 掺杂浓度对ZnO：Al 自组装薄膜NH_3 敏感性能的影响 | 第83-84页 |
| ·层数对ZnO：Al 自组装薄膜NH_3 敏感性能的影响 | 第84-85页 |
| ·测试温度对ZnO：Al 自组装薄膜NH_3 敏感性能的影响 | 第85-86页 |
| ·AL－ZNO 自组装薄膜H_2 敏感性能研究 | 第86-90页 |
| ·浸渍次数对Al－ZnO 自组装薄膜H_2 敏感性能的影响 | 第86-88页 |
| ·浸渍时间对Al－ZnO 自组装薄膜H_2 敏感性能的影响 | 第88-89页 |
| ·测试温度对Al－ZnO 自组装薄膜H_2 敏感性能的影响 | 第89-90页 |
| ·Al－ZnO 自组装薄膜对H_2 的响应恢复时间 | 第90页 |
| ·ZNO 自组装薄膜的气敏机理研究 | 第90-100页 |
| ·半导体氧化物表面的基本状态 | 第91-92页 |
| ·ZnO 自组装薄膜的气敏机理和理论模型 | 第92-100页 |
| ·气体向ZnO 自组装薄膜内部扩散的理论模型 | 第93-95页 |
| ·气体分子和颗粒表面发生物理、化学吸附的机理 | 第95-97页 |
| ·多孔ZnO 自组装薄膜的电导模型 | 第97-100页 |
| ·小结 | 第100-101页 |
| 第四章 ZNO/TIO_2自组装薄膜的气敏性能研究 | 第101-116页 |
| ·实验部分 | 第101-102页 |
| ·实验材料及测试仪器 | 第101页 |
| ·TiO_2 溶胶制备 | 第101页 |
| ·ZnO/TiO_2 复合自组装薄膜气敏元件的制备和测试 | 第101-102页 |
| ·ZNO/TiO_2 复合薄膜气敏元件的形貌结构分析 | 第102-111页 |
| ·ZNO/TiO_2 复合薄膜元件的气敏性能研究 | 第111-115页 |
| ·小结 | 第115-116页 |
| 第五章 ZNO/SNO_2自组装薄膜的气敏性能研究 | 第116-130页 |
| ·实验部分 | 第116页 |
| ·实验材料及测试仪器 | 第116页 |
| ·SnO_2 溶胶制备 | 第116页 |
| ·ZnO/ SnO_2 复合自组装薄膜气敏元件的制备和测试 | 第116页 |
| ·ZNO/SnO_2 复合薄膜气敏元件的形貌结构分析 | 第116-126页 |
| ·ZNO/SnO_2 复合薄膜元件的气敏性能研究 | 第126-129页 |
| ·小结 | 第129-130页 |
| 结论 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-145页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第145-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 作者简介 | 第147页 |
