| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·传感器的概述 | 第7-8页 |
| ·几种常见的气敏传感器 | 第8-11页 |
| ·光学式气体传感器 | 第8-9页 |
| ·半导体式气体传感器 | 第9-10页 |
| ·场效应管式气体传感器 | 第10页 |
| ·基于压电的气体传感器 | 第10-11页 |
| ·多孔硅气敏传感器简介 | 第11-14页 |
| ·多孔硅分类 | 第11-12页 |
| ·多孔硅材料的特点及应用 | 第12-13页 |
| ·多孔硅气敏传感器研究概况 | 第13-14页 |
| ·本论文研究工作的目的和内容 | 第14-15页 |
| 第二章 理论知识 | 第15-25页 |
| ·多孔硅的形成机制 | 第15-17页 |
| ·量子限制模型 | 第15-16页 |
| ·Beale 模型 | 第16页 |
| ·扩散限制（DLA）模型 | 第16-17页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第17-20页 |
| ·原电池法 | 第17-18页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第18-19页 |
| ·双槽电化学腐蚀法 | 第19-20页 |
| ·多孔硅气敏传感器工作原理 | 第20-22页 |
| ·表面吸附 | 第20-21页 |
| ·检测气体表面吸附反应 | 第21-22页 |
| ·紫外光在半导体敏感器件中的作用 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射淀积金属薄膜工作机理 | 第23-24页 |
| ·场致发射扫描电子显微镜（SEM）技术 | 第24-25页 |
| 第三章 多孔硅气敏元件的制备及测试 | 第25-32页 |
| ·多孔硅层的制备 | 第25-27页 |
| ·硅片的清洗 | 第25-26页 |
| ·多孔硅层的制备 | 第26-27页 |
| ·溅射形成薄膜电极及表面掺杂 | 第27-29页 |
| ·多孔硅气敏性能测试 | 第29-32页 |
| 第四章 紫外辐照对多孔硅NO_2气敏性能的影响研究 | 第32-46页 |
| ·样品的制备 | 第32页 |
| ·多孔硅孔隙率的测量 | 第32-33页 |
| ·多孔硅微观形貌分析 | 第33-35页 |
| ·多孔硅样品的光电性质 | 第35-38页 |
| ·紫外光对多孔硅NO_2气敏性能影响 | 第38-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 掺杂对多孔硅气敏传感器性能改进研究 | 第46-53页 |
| ·样品的制备 | 第46页 |
| ·三种多孔硅样品的微观形貌分析 | 第46-48页 |
| ·掺杂对多孔硅气敏传感器NO_2 气敏性能影响 | 第48-50页 |
| ·多孔硅对NO_2 的气敏性能测试与分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·总结与讨论 | 第53-54页 |
| ·工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |