| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 集成电路的历史 | 第12页 |
| 1.2 静电放电对集成电路的损害 | 第12-14页 |
| 1.3 静电放电防护措施 | 第14页 |
| 1.4 研究工具 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的章节安排 | 第15-16页 |
| 2 ESD放电模型、防护原理及防护目标 | 第16-32页 |
| 2.1 ESD放电模式及工业测试标准 | 第16-22页 |
| 2.1.1 人体放电模型(HBM) | 第16-19页 |
| 2.1.2 机器放电模型(MM) | 第19-21页 |
| 2.1.3 组件充电模型(CDM) | 第21-22页 |
| 2.2 ESD测试方法 | 第22-27页 |
| 2.2.1 HBM与MM的ESD测试 | 第22-24页 |
| 2.2.2 CDM的ESD测试 | 第24-25页 |
| 2.2.3 ESD测试方式及故障判断 | 第25-26页 |
| 2.2.4 传输线脉冲(Transmission Line Pulse,TLP)测试 | 第26-27页 |
| 2.3 ESD失效模式和失效机理 | 第27-29页 |
| 2.3.1 ESD失效模式 | 第27-28页 |
| 2.3.2 ESD失效机理 | 第28-29页 |
| 2.4 ESD设计窗口 | 第29-30页 |
| 2.5 ESD防护设计理念 | 第30-31页 |
| 2.6 小结 | 第31-32页 |
| 3 基本ESD防护器件的原理及模型 | 第32-40页 |
| 3.1 二极管 | 第32-34页 |
| 3.1.1 二极管的I-V特性曲线 | 第32-33页 |
| 3.1.2 二极管方程 | 第33-34页 |
| 3.2 双极型晶体管BJT | 第34-36页 |
| 3.3 绝缘栅型场效应管MOSFET | 第36-38页 |
| 3.4 可控硅SCR | 第38-39页 |
| 3.5 小结 | 第39-40页 |
| 4 基于HTSCR的新型器件优化设计 | 第40-51页 |
| 4.1 HBT基本工作原理 | 第40-44页 |
| 4.2 HBT辅助触发的SCR | 第44-45页 |
| 4.3 改进型HTSCR | 第45-50页 |
| 4.3.1 NHTSCR器件结构及工作原理 | 第45-46页 |
| 4.3.2 NHTSCR器件的ESD测试 | 第46-48页 |
| 4.3.3 NHTSCR性能优化分析 | 第48-50页 |
| 4.4 小结 | 第50-51页 |
| 5 基于SCR的新型ESD防护器件设计 | 第51-65页 |
| 5.1 SCR自身缺陷 | 第51页 |
| 5.2 SCR优化思路 | 第51-52页 |
| 5.3 电导调制效应的研究 | 第52页 |
| 5.4 降低触发电压的优化 | 第52-55页 |
| 5.4.1 MLSCR | 第52-54页 |
| 5.4.2 LVTSCR | 第54-55页 |
| 5.5 提高维持电压的优化 | 第55-58页 |
| 5.5.1 分流SCR方案 | 第55-56页 |
| 5.5.2 堆叠SCR方案 | 第56-58页 |
| 5.6 NTSCR器件设计 | 第58-64页 |
| 5.6.1 NTSCR设计原理及结构 | 第58-59页 |
| 5.6.2 NTSCR器件性能ESD测试及关键尺寸分析 | 第59-61页 |
| 5.6.3 NTSCR鲁棒性分析 | 第61-64页 |
| 5.7 小结 | 第64-65页 |
| 6 结论和展望 | 第65-67页 |
| 6.1 全文总结 | 第65页 |
| 6.2 不足与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |