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基于BJT与SCR的片上ESD防护研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第12-16页
    1.1 集成电路的历史第12页
    1.2 静电放电对集成电路的损害第12-14页
    1.3 静电放电防护措施第14页
    1.4 研究工具第14-15页
    1.5 本文的章节安排第15-16页
2 ESD放电模型、防护原理及防护目标第16-32页
    2.1 ESD放电模式及工业测试标准第16-22页
        2.1.1 人体放电模型(HBM)第16-19页
        2.1.2 机器放电模型(MM)第19-21页
        2.1.3 组件充电模型(CDM)第21-22页
    2.2 ESD测试方法第22-27页
        2.2.1 HBM与MM的ESD测试第22-24页
        2.2.2 CDM的ESD测试第24-25页
        2.2.3 ESD测试方式及故障判断第25-26页
        2.2.4 传输线脉冲(Transmission Line Pulse,TLP)测试第26-27页
    2.3 ESD失效模式和失效机理第27-29页
        2.3.1 ESD失效模式第27-28页
        2.3.2 ESD失效机理第28-29页
    2.4 ESD设计窗口第29-30页
    2.5 ESD防护设计理念第30-31页
    2.6 小结第31-32页
3 基本ESD防护器件的原理及模型第32-40页
    3.1 二极管第32-34页
        3.1.1 二极管的I-V特性曲线第32-33页
        3.1.2 二极管方程第33-34页
    3.2 双极型晶体管BJT第34-36页
    3.3 绝缘栅型场效应管MOSFET第36-38页
    3.4 可控硅SCR第38-39页
    3.5 小结第39-40页
4 基于HTSCR的新型器件优化设计第40-51页
    4.1 HBT基本工作原理第40-44页
    4.2 HBT辅助触发的SCR第44-45页
    4.3 改进型HTSCR第45-50页
        4.3.1 NHTSCR器件结构及工作原理第45-46页
        4.3.2 NHTSCR器件的ESD测试第46-48页
        4.3.3 NHTSCR性能优化分析第48-50页
    4.4 小结第50-51页
5 基于SCR的新型ESD防护器件设计第51-65页
    5.1 SCR自身缺陷第51页
    5.2 SCR优化思路第51-52页
    5.3 电导调制效应的研究第52页
    5.4 降低触发电压的优化第52-55页
        5.4.1 MLSCR第52-54页
        5.4.2 LVTSCR第54-55页
    5.5 提高维持电压的优化第55-58页
        5.5.1 分流SCR方案第55-56页
        5.5.2 堆叠SCR方案第56-58页
    5.6 NTSCR器件设计第58-64页
        5.6.1 NTSCR设计原理及结构第58-59页
        5.6.2 NTSCR器件性能ESD测试及关键尺寸分析第59-61页
        5.6.3 NTSCR鲁棒性分析第61-64页
    5.7 小结第64-65页
6 结论和展望第65-67页
    6.1 全文总结第65页
    6.2 不足与展望第65-67页
参考文献第67-70页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第70-71页
致谢第71页

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