| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| ·半导体激光器简介 | 第12-16页 |
| ·半导体激光器的应用 | 第16-19页 |
| ·国内外发展现状 | 第19-21页 |
| ·论文的主要研究内容和论文结构安排 | 第21-24页 |
| ·研究对象 | 第21页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第21页 |
| ·论文的结构安排 | 第21-24页 |
| 第2章 半导体激光器基本原理 | 第24-46页 |
| ·半导体激光器的基本要素 | 第24-28页 |
| ·光增益和阈值条件 | 第28-31页 |
| ·侧向限制 | 第31-32页 |
| ·量子阱结构 | 第32-34页 |
| ·光波导和谐振腔 | 第34-44页 |
| ·有效折射率 | 第34-37页 |
| ·近场图形和远场图形 | 第37-39页 |
| ·法布里—珀罗谐振腔 | 第39-42页 |
| ·激光器光谱 | 第42页 |
| ·腔面膜 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 第3章 800nm 大功率半导体激光器芯片设计与器件制作 | 第46-76页 |
| ·800nm 大功率半导体激光器外延片设计 | 第46-62页 |
| ·有源区的组分和阱宽 | 第47-51页 |
| ·波导层和包层的组分和厚度 | 第51-58页 |
| ·芯片整体设计 | 第58页 |
| ·激光器列阵的结构设计 | 第58-62页 |
| ·工艺制作 | 第62-74页 |
| ·MOVPE 生长 | 第63-64页 |
| ·光刻 | 第64-67页 |
| ·刻蚀 | 第67-68页 |
| ·射频溅射介质膜 | 第68-70页 |
| ·金属膜 | 第70-71页 |
| ·腔面膜 | 第71-72页 |
| ·器件封装 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74-76页 |
| 第4章 实验器件测试结果与热特性分析 | 第76-92页 |
| ·器件测试结果 | 第76-79页 |
| ·实验器件的温度特性分析 | 第79-91页 |
| ·已有的有源区温度的实验测试方法 | 第79-83页 |
| ·功率-阈值电流法测量有源区温度 | 第83-85页 |
| ·有源区温度测试结果 | 第85-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| 第5章 大功率半导体激光器的封装应变研究 | 第92-112页 |
| ·产生封装应变的原理 | 第92-94页 |
| ·激光器封装焊接原理 | 第92-93页 |
| ·封装引入应变产生的原因 | 第93-94页 |
| ·封装引入应变的测量方法 | 第94-102页 |
| ·已有的测量封装引入应变的方法 | 第94-98页 |
| ·电致发光谱测量封装引入应变 | 第98-102页 |
| ·测量结果与分析 | 第102-109页 |
| ·小结 | 第109-112页 |
| 第6章 结论与展望 | 第112-116页 |
| 参考文献 | 第116-122页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第122-123页 |
| 指导教师及个人简介 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124页 |