| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| ·垂直腔面发射激光器（VCSELs）简介 | 第13-17页 |
| ·VCSELs 的概念 | 第13-14页 |
| ·VCSELs 的结构 | 第14-15页 |
| ·VCSELs 的特点 | 第15-17页 |
| ·VCSELs 的研究现状 | 第17-26页 |
| ·可见光VCSELs | 第18-21页 |
| ·长波长VCSELs | 第21-23页 |
| ·近红外波段VCSELs | 第23-26页 |
| ·高功率VCSELs 的研究背景及意义 | 第26-28页 |
| ·本论文的研究工作 | 第28-30页 |
| 第2章 VCSELs 理论分析 | 第30-70页 |
| ·VCSELs 量子阱的理论计算 | 第30-34页 |
| ·应变对量子阱能带的影响 | 第31-32页 |
| ·器件发光波长计算 | 第32页 |
| ·电子、空穴状态密度计算 | 第32-33页 |
| ·量子阱的增益计算 | 第33-34页 |
| ·VCSELs 反射镜的设计 | 第34-44页 |
| ·DBR 的反射率 | 第35-37页 |
| ·DBR 的吸收 | 第37-38页 |
| ·DBR 的高反射带宽和穿透深度 | 第38-40页 |
| ·VCSELs 的谐振腔 | 第40-41页 |
| ·低阻半导体DBR 设计 | 第41-44页 |
| ·VCSELs 参数设计 | 第44-56页 |
| ·参数设计基础 | 第44-45页 |
| ·相对限制因子 | 第45-46页 |
| ·阈值电流密度 | 第46-50页 |
| ·微分量子效率 | 第50-51页 |
| ·电光转换效率 | 第51-56页 |
| ·VCSELs 的热特性 | 第56-68页 |
| ·激射波长随温度的变化 | 第57-59页 |
| ·阈值电流随温度的变化 | 第59-65页 |
| ·内部温升对输出功率的影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第3章 VCSELs 制作工艺 | 第70-84页 |
| ·外延生长技术介绍 | 第70-71页 |
| ·外延片清洗 | 第71-73页 |
| ·光刻技术 | 第73-74页 |
| ·湿法刻蚀工艺 | 第74-75页 |
| ·湿法选择氧化技术 | 第75-78页 |
| ·原理 | 第76-77页 |
| ·实验装置 | 第77-78页 |
| ·湿法选择氧化工艺条件 | 第78页 |
| ·增透膜 | 第78-79页 |
| ·工艺流程 | 第79-82页 |
| ·底发射VCSELs 工艺流程 | 第79-80页 |
| ·顶发射VCSELs 工艺流程 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第4章 高功率低发散角 VCSELs 的制作及测试分析 | 第84-116页 |
| ·高功率低发散角VCSELs 单管器件 | 第85-99页 |
| ·现有的实验结果 | 第85-87页 |
| ·脉冲阳极氧化方法改善器件性能 | 第87-90页 |
| ·提高微分量子效率改善器件性能 | 第90-94页 |
| ·器件远场发散角的改善 | 第94-99页 |
| ·85011mVCSELs 器件 | 第99页 |
| ·高功率低发散角VCSELs 列阵器件 | 第99-115页 |
| ·现有的实验结果 | 第99-100页 |
| ·非均匀排列分布一维列阵 | 第100-107页 |
| ·高功率高光束质量二维列阵 | 第107-112页 |
| ·列阵寿命测试 | 第112-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 第5章 总结 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-128页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第128-130页 |
| 指导教师及作者简介 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131页 |