| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第18-21页 |
| 1.1.1 InP/InGaAs材料体系应用 | 第18-19页 |
| 1.1.2 辐照研究的必要性 | 第19-21页 |
| 1.1.3 InP/InGaAs异质结构的辐照缺陷研究意义 | 第21页 |
| 1.2 国内外研究现状及存在的问题 | 第21-26页 |
| 1.2.1 InP/InGaAs HBT器件辐照研究 | 第21-23页 |
| 1.2.2 InP/InGaAs异质结辐照缺陷研究 | 第23-25页 |
| 1.2.3 缺陷对InP/InGaAs异质结器件电学特性的影响 | 第25-26页 |
| 1.3 研究思路与主要内容 | 第26-27页 |
| 1.4 论文结构 | 第27-28页 |
| 第二章 InP/InGaAs异质结器件理论及辐照缺陷研究方法 | 第28-44页 |
| 2.1 InP/InGaAs异质结及异质结器件原理 | 第28-35页 |
| 2.1.1 InP/InGaAs异质结基本理论 | 第28-31页 |
| 2.1.2 InP/InGaAs HBT器件原理 | 第31-35页 |
| 2.2 辐照损伤机理及表征方法 | 第35-39页 |
| 2.2.1 辐照损伤机理 | 第35-36页 |
| 2.2.2 缺陷表征方法 | 第36-39页 |
| 2.3 InP/InGaAs异质结及异质结器件TCAD仿真模型 | 第39-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 InP/InGaAs异质结的辐照缺陷研究 | 第44-60页 |
| 3.1 InP/InGaAs异质pN结器件结构设计 | 第44-46页 |
| 3.2 InP/InGaAs异质pN结器件制备 | 第46-51页 |
| 3.2.1 InP/InGaAs异质外延生长 | 第46-47页 |
| 3.2.2 欧姆接触电极制备 | 第47-49页 |
| 3.2.3 台面腐蚀及表面钝化工艺 | 第49-50页 |
| 3.2.4 InP/InGaAs异质pN结器件电学特性 | 第50-51页 |
| 3.3 InP/InGaAs异质pN结辐照实验及结果分析 | 第51-54页 |
| 3.3.1 InP/InGaAs异质pN结I-V特性 | 第51-52页 |
| 3.3.2 InP/InGaAs异质pN结C-V特性 | 第52-54页 |
| 3.4 深能级瞬态谱(DLTS)实验及结果分析 | 第54-58页 |
| 3.4.1 深能级瞬态谱表征 | 第55-57页 |
| 3.4.2 SRIM仿真分析 | 第57-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 缺陷对异质结器件特性的影响机理分析 | 第60-78页 |
| 4.1 缺陷对InP/InGaAs异质pN结特性的影响 | 第60-64页 |
| 4.1.1 缺陷对异质pN结I-V特性的影响 | 第60-63页 |
| 4.1.2 缺陷对异质pN结C-V特性的影响 | 第63-64页 |
| 4.2 缺陷对InP/InGaAs HBT器件特性的影响 | 第64-76页 |
| 4.2.1 仿真结果和实验结果的对比分析 | 第64-68页 |
| 4.2.2 表面陷阱引起的InPHBT器件增益退化 | 第68-73页 |
| 4.2.3 界面陷阱和体陷阱引起的InPHBT器件增益退化 | 第73-76页 |
| 4.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-82页 |
| 5.1 总结 | 第78-79页 |
| 5.1.1 InP/InGaAs异质结内的辐照缺陷及缺陷性质 | 第78-79页 |
| 5.1.2 缺陷对InP/InGaAs异质结及InP/InGaAs HBT器件性能的影响 | 第79页 |
| 5.2 展望 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90-91页 |
