基于氮化镓器件的高温传感电子单元的设计与实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第11-12页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 高温传感电子单元的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 GaN HEMT器件的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文研究的主要工作及组织结构 | 第15-17页 |
| 第2章 GaN器件理论基础与变温特性测试分析 | 第17-29页 |
| 2.1 GaN材料 | 第17-19页 |
| 2.1.1 GaN材料的晶体结构 | 第17页 |
| 2.1.2 GaN材料的电学性质 | 第17-19页 |
| 2.2 GaN HEMT器件 | 第19-21页 |
| 2.2.1 GaN HEMT的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 GaN HEMT的自热效应 | 第20-21页 |
| 2.3 GaN HEMT温度特性测试与分析 | 第21-28页 |
| 2.3.1 温度对电子迁移率的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.2 器件变温输出特性分析 | 第24-25页 |
| 2.3.3 器件变温转移特性分析 | 第25-27页 |
| 2.3.4 器件变温栅泄漏电流特性分析 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 高温等效模型建立 | 第29-51页 |
| 3.1 GaN器件模型建立导论 | 第29-33页 |
| 3.1.1 器件模型分类 | 第29-30页 |
| 3.1.2 常见经验模型 | 第30-33页 |
| 3.2 GaN器件建模方法概述 | 第33-36页 |
| 3.2.1 建模流程 | 第33-34页 |
| 3.2.2 数据拟合 | 第34-36页 |
| 3.3 GaN HEMT常温DC模型 | 第36-41页 |
| 3.3.1 Statz模型 | 第36-38页 |
| 3.3.2 模型改进 | 第38-41页 |
| 3.4 GaN HEMT宽温度DC模型 | 第41-47页 |
| 3.4.1 模型参数提取 | 第41-44页 |
| 3.4.2 模型验证 | 第44-46页 |
| 3.4.3 软件仿真验证 | 第46-47页 |
| 3.5 其它元件温度模型 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 高温传感电子单元设计 | 第51-61页 |
| 4.1 系统概述 | 第51页 |
| 4.2 高温信号放大模块 | 第51-54页 |
| 4.2.1 高温信号放大电路设计 | 第52-53页 |
| 4.2.2 温度补偿电路 | 第53-54页 |
| 4.3 高温直流转方波模块 | 第54-56页 |
| 4.3.1 高温无稳态多谐振荡电路 | 第54-56页 |
| 4.3.2 高温开关电路 | 第56页 |
| 4.4 高温无线传输模块 | 第56-59页 |
| 4.4.1 高温无线传输模块设计方案 | 第56-57页 |
| 4.4.2 高温无线传输模块电路设计 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 高温电子单元原型的制作与测试 | 第61-81页 |
| 5.1 高温电路设计导论 | 第61-69页 |
| 5.1.1 高温电子基板的选择 | 第62页 |
| 5.1.2 高温电子器件选型 | 第62-67页 |
| 5.1.3 高温电路互连方式 | 第67-69页 |
| 5.2 高温厚膜电路制作 | 第69-72页 |
| 5.2.1 厚膜工艺 | 第69页 |
| 5.2.2 制作流程 | 第69-72页 |
| 5.3 高温传感电子单元仿真与测试分析 | 第72-80页 |
| 5.3.1 测试平台搭建 | 第72-73页 |
| 5.3.2 仿真与测试结果分析 | 第73-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第6章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 6.1 工作总结 | 第81-82页 |
| 6.2 工作展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
