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单层MoS2 FET的制备及其稳定性的研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第7-15页
    1.1 课题背景和选题意义第7-8页
    1.2 文献综述第8-13页
    1.3 论文研究内容第13-15页
第2章 实验仪器和方法第15-28页
    2.1 样品制备方法第15-18页
    2.2 样品表征方法第18-26页
    2.3 输运性质测量第26-28页
第3章 单层MoS_ 2 FET的制备第28-42页
    3.1 单层MoS2的表征第28-30页
    3.2 光刻第30-36页
    3.3 磁控溅射镀电极第36-37页
    3.4 FET输运性质测量第37-41页
    3.5 本章小结第41-42页
第4章 空气环境对单层MoS_ 2 FET性能的影响第42-55页
    4.1 空气中氮气和氧气对MoS_ 2 FET性能的影响第42-44页
    4.2 氧气影响MoS_ 2 FET性能的机理第44-46页
    4.3 水蒸气对MoS_ 2 FET性能的影响第46-49页
    4.4 光照对脱附的影响第49-53页
    4.5 本章小结第53-55页
第5章 总结与展望第55-56页
参考文献第56-58页
致谢第58-60页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第60页

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