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基于第一性原理的非晶硅建模仿真研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 非晶硅的研究背景第9-14页
        1.1.1 非晶硅的化学键结构第10-12页
        1.1.2 非晶硅的电子性质第12-13页
        1.1.3 非晶硅薄膜的常用制备方法第13-14页
    1.2 氢化非晶硅的光学应用第14-15页
    1.3 计算材料科学研究的意义第15-16页
    1.4 本论文的研究目的和内容第16页
    1.5 本章小结第16-17页
第二章 第一性原理以及建模工具介绍第17-27页
    2.1 密度泛函理论——从波函数到电荷密度第17-20页
        2.1.1 Hohenberg-Kohn定理第17-18页
        2.1.2 Kohn-Sham方程第18-20页
    2.2 局域化的和空间扩展的函数第20-24页
        2.2.1 波函数方法(Wave-function-based Methods)第20页
        2.2.2 Born-Oppenheimer近似(绝热近似)第20-21页
        2.2.3 Hatree-Fock方法第21-23页
        2.2.4 Hatree-Fock方法之后第23-24页
    2.3 交换关联泛函第24-25页
        2.3.1 局域密度近似第24-25页
        2.3.2 广义梯度近似第25页
    2.4 模拟计算软件介绍第25-26页
    2.5 本章小结第26-27页
第三章 薄膜的制备和测试方法第27-33页
    3.1 薄膜的制备第27-28页
    3.2 薄膜的性能测试手段第28-32页
        3.2.1 傅里叶红外光谱仪第28-30页
        3.2.2 紫外可见光光谱式椭偏仪第30-31页
        3.2.3 X射线衍射仪第31-32页
    3.3 本章总结第32-33页
第四章 液相冷却模型的建立第33-38页
    4.1 结构性质的重要参数第33-35页
        4.1.1 结构因子第34页
        4.1.2 径向分布函数第34-35页
    4.2 建模流程第35-37页
    4.3 本章小结第37-38页
第五章 液相冷却模型中冷却速率研究第38-47页
    5.1 冷却速率对于模型结构的影响第38-43页
        5.1.1 冷却速率对于径向分布函数的影响第39-40页
        5.1.2 冷却速率对硅原子配位数的影响第40-41页
        5.1.3 冷却速率对键角分布函数的影响第41-43页
    5.2 冷却速率对于结构缺陷和能态密度的影响第43-45页
    5.3 本章小结第45-47页
第六章 基于慢速冷却样本对模型性质的讨论第47-68页
    6.1 慢速冷却模型的结构性质第49-54页
    6.2 结构和电学缺陷第54-57页
    6.3 模型的傅里叶红外谱第57-59页
    6.4 模型的光学性质第59-66页
        6.4.1 吸收率第59-61页
        6.4.2 折射率第61-64页
        6.4.3 消光系数第64-66页
    6.5 本章总结第66-68页
第七章 总结第68-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-75页
攻读硕士学位期间研究成果第75-76页

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