| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 光电探测器 | 第12-17页 |
| 1.1.1 光电探测器的分类和工作原理 | 第12-14页 |
| 1.1.2 光电探测器的应用 | 第14页 |
| 1.1.3 光电探测器的发展现状 | 第14页 |
| 1.1.4 光电探测器的特性参数 | 第14-17页 |
| 1.2 钙钛矿材料 | 第17-23页 |
| 1.2.1 钙钛矿材料的组成、结构和形貌演变 | 第18-21页 |
| 1.2.2 铅卤钙钛矿在太阳能电池方面的应用和发展情况 | 第21页 |
| 1.2.3 铅卤钙钛矿材料在晶体管方面的应用 | 第21页 |
| 1.2.4 铅卤钙钛矿在激光方面的应用 | 第21页 |
| 1.2.5 铅卤钙钛矿在光电探测器方面的应用 | 第21-22页 |
| 1.2.6 钙钛矿材料的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.3 本课题研究的背景和内容 | 第23-24页 |
| 第二章 CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的制备和表征 | 第24-31页 |
| 引言 | 第24页 |
| 2.1 实验所需的药品和仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 CsBi_3I_(10)薄膜的表征 | 第26-30页 |
| 2.3.1 CsBi_3I_(10)薄膜的SEM | 第27-28页 |
| 2.3.2 CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的XRD | 第28-29页 |
| 2.3.3 CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的AFM | 第29页 |
| 2.3.4 CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的紫外-可见-近红外吸收光谱 | 第29页 |
| 2.3.5 CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的PL | 第29-30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的高性能红光光电探测器的制备和光电性能 | 第31-43页 |
| 引言 | 第31页 |
| 3.1 实验所需的仪器设备 | 第31-32页 |
| 3.2 基于CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的光电探测器的制备 | 第32页 |
| 3.3 基于CsBi_3I_(10)钙钛矿薄膜的光电探测器的光电性能 | 第32-41页 |
| 3.3.1 Au/CsBi_3I_(10)/Au光电探测器在不同光强下的光电性能 | 第35-37页 |
| 3.3.2 Au/CsBi_3I_(10)/Au光电探测器在不同偏压下的光电性能 | 第37-38页 |
| 3.3.3 Au/CsBi_3I_(10)/Au光电探测器在不同频率下的光电性能 | 第38-39页 |
| 3.3.4 Au/CsBi_3I_(10)/Au光电探测器的稳定性 | 第39-41页 |
| 3.4 Au/CsBi_3I_(10)/Au光电探测器与类似的光电探测器的性能对比 | 第41-42页 |
| 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 自驱动的Si/CsBi_3I_(10)异质结可见近红外光电探测器的制备和光电性能 | 第43-55页 |
| 引言 | 第43页 |
| 4.1 实验所需的药品和仪器 | 第43-44页 |
| 4.2 Si/CsBi_3I_(10)异质结的可见近红外光电探测器的制备 | 第44-46页 |
| 4.3 Si/CsBi_3I_(10)异质结的能带分析 | 第46-47页 |
| 4.4 Si/CsBi_3I_(10)异质结的光谱吸收和光谱响应 | 第47-48页 |
| 4.5 Si/CsBi_3I_(10)异质结光电探测器的光电性能 | 第48-54页 |
| 4.5.1 Si/CSBi3I10异质结光电探测器的近红外光响应 | 第48-50页 |
| 4.5.2 Si/CSBi3I10异质结光电探测器的红光响应 | 第50-52页 |
| 4.5.3 Si/CSBi3I10异质结光电探测器的快速光谱响应 | 第52-53页 |
| 4.5.4 Si/CSBi3I10异质结光电探测器的稳定性 | 第53-54页 |
| 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 附录：硕士期间完成的论文与专利情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
