| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第8-12页 |
| 1.1 光敏电阻器概述 | 第8页 |
| 1.2 CdSe的基本性质 | 第8-9页 |
| 1.3 光敏电阻器应用及国内外研究进展 | 第9-11页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 CdSe纳米晶薄膜的制备 | 第12-19页 |
| 2.1 不同蒸发电流对CdSe纳米晶薄膜结晶性能的影响 | 第12-16页 |
| 2.1.1 实验 | 第12-13页 |
| 2.1.2 结晶情况 | 第13-14页 |
| 2.1.3 薄膜形貌 | 第14-16页 |
| 2.1.4 小结 | 第16页 |
| 2.2 退火温度对CdSe纳米晶薄膜结晶性能的影响 | 第16-19页 |
| 2.2.1 实验 | 第16页 |
| 2.2.2 结晶情况 | 第16-17页 |
| 2.2.3 表面形貌 | 第17-18页 |
| 2.2.4 小结 | 第18-19页 |
| 第三章 CdSe纳米晶薄膜的高温特性及光敏特性研究 | 第19-28页 |
| 3.1 CdSe纳米晶薄膜的高温特性 | 第19-23页 |
| 3.1.1 高温XRD实验 | 第19页 |
| 3.1.2 高温下CdSe纳米晶薄膜的晶格常数 | 第19-21页 |
| 3.1.3 CdSe纳米晶薄膜的沿c轴方向的热膨胀系数 | 第21页 |
| 3.1.4 CdSe纳米晶薄膜的结晶性能随环境温度的变化曲线 | 第21-22页 |
| 3.1.5 位错密度和应力随温度的变化 | 第22-23页 |
| 3.1.6 小结 | 第23页 |
| 3.2 CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究 | 第23-28页 |
| 3.2.1 光敏电阻器原理 | 第24页 |
| 3.2.2 光敏电阻器制作 | 第24-27页 |
| 3.2.4 小结 | 第27-28页 |
| 结论与展望 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 致谢 | 第34-37页 |
| 在学期间的科研情况 | 第37页 |
