| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 AlN压电材料简介 | 第11-14页 |
| 1.2.1 AlN晶体结构和材料特征 | 第11-13页 |
| 1.2.2 AlN制备方法 | 第13-14页 |
| 1.3 磁致伸缩材料简介 | 第14-15页 |
| 1.4 国内外研究现状及发展前景 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及框架 | 第16-18页 |
| 第二章 AlN薄膜制备、表征及SAW传感器理论 | 第18-28页 |
| 2.1 中频反应磁控溅射系统 | 第18-20页 |
| 2.1.1 反应磁控溅射系统原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 中频反应磁控溅射装置及特点 | 第19-20页 |
| 2.2 AlN薄膜择优取向生长 | 第20-21页 |
| 2.3 AlN薄膜表征方法 | 第21-24页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第21-22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.4 金相显微镜 | 第24页 |
| 2.4 声表面波传感器 | 第24-28页 |
| 2.4.1 声表面波理论 | 第24-25页 |
| 2.4.2 声表面波传感器基本结构 | 第25-26页 |
| 2.4.3 声表面波传感器分类 | 第26-28页 |
| 第三章 FeGa合金衬底上制备AlN薄膜 | 第28-52页 |
| 3.1 中频反应磁控溅射状态研究 | 第28-30页 |
| 3.2 两步法在FeGa合金衬底制备AlN薄膜初步研究 | 第30-35页 |
| 3.3 一步法在FeGa合金衬底制备AlN薄膜 | 第35-37页 |
| 3.4 工艺参数对AlN薄膜质量影响 | 第37-51页 |
| 3.4.1 溅射功率的影响 | 第37-40页 |
| 3.4.2 氮气含量的影响 | 第40-43页 |
| 3.4.3 溅射气压的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.4 靶基距的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.5 最优工艺下的AlN薄膜 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 磁声表面波传感器的仿真设计与制备 | 第52-68页 |
| 4.1 磁声表面波传感器结构与设计 | 第52-56页 |
| 4.1.1 磁声表面波谐振器结构参数 | 第52-54页 |
| 4.1.2 COMSOL软件介绍及仿真方法 | 第54-56页 |
| 4.2 声表面波传感器的仿真及结果分析 | 第56-61页 |
| 4.2.1 瑞利波模式仿真结果 | 第58-60页 |
| 4.2.2 体声波模式仿真结果 | 第60-61页 |
| 4.3 声表面波传感器的制备工艺 | 第61-66页 |
| 4.3.1 光刻掩膜版设计 | 第62页 |
| 4.3.2 基片预处理 | 第62-63页 |
| 4.3.3 光刻图形 | 第63-65页 |
| 4.3.4 沉积金属电极和电极剥离 | 第65-66页 |
| 4.4 声表面波传感器的测试与分析 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75页 |