摘要 | 第7-8页 |
abstract | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第12-29页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 光催化材料发展历史 | 第12-13页 |
1.3 光催化的反应原理 | 第13-14页 |
1.4 g-C_3N_4简介 | 第14-15页 |
1.4.1 g-C3N4研究简介 | 第14页 |
1.4.2 g-C3N4结构与性质 | 第14-15页 |
1.5 g-C_3N_4的制备方法 | 第15页 |
1.6 g-C_3N_4的应用 | 第15-20页 |
1.6.1 光催化产氢 | 第16页 |
1.6.2 光催化降解 | 第16-18页 |
1.6.3 光催化还原二氧化碳 | 第18-19页 |
1.6.4 光敏杀菌 | 第19页 |
1.6.5 光催化有机合成 | 第19-20页 |
1.7 g-C_3N_4的机理及改性研究 | 第20-27页 |
1.7.1 g-C3N4的合成及结构设计 | 第20-25页 |
1.7.2 g-C3N4能带工程 | 第25-26页 |
1.7.3 g-C3N4基光催化半导体异质结 | 第26-27页 |
1.8 课题的研究内容 | 第27-29页 |
第二章 热处理时间对g-C_3N_4组织结构及光催化性能的影响 | 第29-39页 |
2.1 引言 | 第29-30页 |
2.2 实验部分 | 第30-32页 |
2.2.1 试验药品及仪器设备 | 第30-31页 |
2.2.2 样品制备 | 第31页 |
2.2.3 测试表征参数 | 第31-32页 |
2.2.4 产氢性能测试 | 第32页 |
2.3 结果和讨论 | 第32-37页 |
2.3.1 形貌结构表征分析 | 第32-35页 |
2.3.2 光响应测试 | 第35-36页 |
2.3.3 光催化产氢性能测试 | 第36-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-39页 |
第三章 碳自掺杂g-C_3N_4光催化产氢性能研究 | 第39-47页 |
3.1 引言 | 第39-40页 |
3.2 实验部分 | 第40-42页 |
3.2.1 试验药品及仪器设备 | 第40-41页 |
3.2.2 样品的制备 | 第41页 |
3.2.3 测试表征参数 | 第41-42页 |
3.3 结果与讨论 | 第42-46页 |
3.3.1 形貌结构表征分析 | 第42-43页 |
3.3.2 光响应测试 | 第43-44页 |
3.3.3 光催化产氢测试 | 第44-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 g-C3N4孔缺陷促进界面氧化对光催化产氢性能的影响 | 第47-57页 |
4.1 引言 | 第47-48页 |
4.2 实验部分 | 第48-50页 |
4.2.1 试验药品及仪器设备 | 第48-49页 |
4.2.2 样品制备 | 第49-50页 |
4.2.3 测试表征参数 | 第50页 |
4.2.4 产氢性能测试 | 第50页 |
4.2.5 电化学测试 | 第50页 |
4.3 结果和讨论 | 第50-56页 |
4.3.1 形貌结构表征分析 | 第50-53页 |
4.3.2 电化学与产氢测试 | 第53-54页 |
4.3.3 光电测试分析 | 第54-56页 |
4.4 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
5.1 总结 | 第57页 |
5.2 展望 | 第57-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-75页 |