| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-39页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 闪存存储器概述 | 第15-18页 |
| 1.3 电荷俘获型存储器 | 第18-21页 |
| 1.3.1 缺陷俘获型存储器 | 第18-19页 |
| 1.3.2 纳米晶存储器 | 第19-20页 |
| 1.3.3 电荷俘获型存储器的工作机制与性能指标 | 第20-21页 |
| 1.4 金属-绝缘体-金属(MIM)电容概述 | 第21-28页 |
| 1.4.1 MIM电容的发展蓝图与关键指标 | 第22-24页 |
| 1.4.2 用于MIM电容的高k介质材料的选择与研究进展 | 第24-27页 |
| 1.4.3 高k介质材料的制备工艺 | 第27-28页 |
| 1.5 原子层沉积技术(ALD)介绍 | 第28-30页 |
| 1.6 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-39页 |
| 第二章 器件的制备工艺和表征手段 | 第39-47页 |
| 2.1 器件的制备工艺 | 第39-43页 |
| 2.1.1 原子层沉积系统简介 | 第39-43页 |
| 2.1.2 磁控溅射系统简介 | 第43页 |
| 2.2 器件薄膜相关的表征手段 | 第43-44页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱(XPS) | 第43页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第43-44页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第44页 |
| 2.3 器件的电学性能测试 | 第44-46页 |
| 2.3.1 Keithley 4200半导体特性分析系统 | 第44-45页 |
| 2.3.2 CasCade集成电路测试平台 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 ALD制备高k纳米复合氧化物电荷俘获型存储器存储性能研究 | 第47-71页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 Ta_2O_5/Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3/Ta_2O_5(TATiTA)纳米复合高k存储器的存储性能研究 | 第48-56页 |
| 3.2.1 TATiAT纳米复合高k存储器的制备工艺 | 第48-49页 |
| 3.2.2 TATiAT纳米复合高k存储器微结构表征 | 第49-51页 |
| 3.2.3 TATiAT纳米复合高k存储器的电学性能 | 第51-54页 |
| 3.2.4 TATiAT纳米复合高k存储器的能带结构分析 | 第54-56页 |
| 3.3 Ta_2O_5纳米岛存储器的电荷存储性能研究 | 第56-65页 |
| 3.3.1 Ta_2O_5纳米岛存储器的制备工艺 | 第56-57页 |
| 3.3.2 不同衬底对Ta_2O_5纳米岛沉积尺寸与分布的影响 | 第57-61页 |
| 3.3.3 Ta_2O_5纳米岛存储器的电学性能 | 第61-64页 |
| 3.3.4 Ta_2O_5纳米岛存储器的能带结构分析 | 第64-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第四章 ALD制备高k介质Zr-Ti-O MIM电容性能研究 | 第71-83页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 沉积温度对Zr-Ti-O MIM电容性能的影响 | 第71-74页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第71-72页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第72-74页 |
| 4.3 不同ALD技术、前驱体对Zr-Ti-O MIM电容性能的影响 | 第74-76页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第74-75页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第75-76页 |
| 4.4 热ALD与PEALD联合制备Zr-Ti-O MIM电容性能研究 | 第76-79页 |
| 4.4.1 实验方法 | 第77页 |
| 4.4.2 实验结果与分析 | 第77-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 结论与展望 | 第83-87页 |
| 5.1 结论 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-87页 |
| 硕士生期间发表的论文 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
